今年支出缩减主因为记忆体 明年记忆体产业可望回温

国际半导体产业协会 (SEMI) 今 (12) 日更新第 2 季全球晶圆厂预测报告，报告中下修对今、明年全球晶圆厂设备支出成长率，其中，主要降幅来自记忆体缩减的资本支出，但在历经产业景气调整后，DRAM 市况可望从第 3 季起逐步平稳，NAND Flash 也有机会趋于平衡，带动记忆体产业资本支出回稳，明年更将强劲复苏逾 4 成。

SEMI 最新公布的全球晶圆厂预测报告中，下修对今、明年全球晶圆厂设备支出成长率，今年预估由原先下滑 14% 进一步扩大至下滑 19%，其中主要下修因素，便是记忆体资本支出缩减幅度较预期更剧烈，SEMI 预期，今年上半年记忆体支出将减少 48%，下半年支出可望回稳，明年则将强劲复苏 45%，惟相关投资仍将远低于 2017、2018 年水准。

DRAM 产业去年下半年起，历经产业景气调整，面临相当大的跌价压力，三大 DRAM 供应商纷纷放缓今年新增产能脚步，在产业库存逐步调节后，今年第 2 季 DRAM 价格虽持续走跌，但需求已开始回温。

南亚科 (2408-TW)、威刚 (3260-TW) 等业者均认为，第 3 季适逢电子产品应用传统旺季，在传统旺季需求带动下，第 3 季起 DRAM 市况将逐步平稳，并预期下半年表现将优于上半年。至于 DRAM 价格能否止跌，仍得观察市场需求增加幅度、DRAM 大厂库存去化程度而定。

NAND Flash 方面，因供过于求难以遏制，加上智慧型手机需求趋缓，使供需失衡情况更加严重，去年总体资本支出下调近 10%，但仍无法翻转供需失衡情形，全年 NAND Flash 价格跌幅约 6 至 7 成，今年首季更因市场库存水位过高，大厂三星采取降价策略冲击下，价格跌幅扩大至超过 3 成，美光、SK 海力士也相继减产 5-10%。

目前市场对 NAND 供需何时趋于平衡、价格落底反弹的时间点，多空看法分歧。有业者看好，供给面有所调节，且价格已跌破现金成本价，加上传统旺季将至，需求可望增温，预期下半年市况将趋于平衡。也有业者认为，市场仍处于供过于求状态，在市场库存还未去化到合理水位之前，下半年价格还可能持续走跌。

虽然今年记忆体产业支出大幅缩减，不过，SEMI 指出，晶圆代工、微处理器晶片 (micro) 这 2 个产业投资，可望逆势成长，在先进制程及产能带动下，今年支出预计将成长 29%，产业前景仍看佳。