三星 NAND 拟涨价 10%

日本对关键半导体原料祭出限制令，南韩记忆体业面临断料风险，打算藉机去化库存，据传最快本月开始减产 NAND Flash；三星电子更有意把 NAND 价格提高 10%。

 
消息传出后，南韩和美国记忆体商的股价均飙。10 日三星电子上涨 1.00% 收 45,550 韩圜，SK 海力士上涨 4.44% 收 72,900 韩圜。美光（Micron）跳空上涨 3.75% 收 42.90 美元。Western Digital 跳空上涨 4.97% 收 54.04 美元。
 
BusinessKorea 11 日报导，据悉三星电子忧虑日本限制令将干扰生产，计划提高 NAND 价格 10%，美光等可能跟进。近来 NAND 市况好转，全球 NAND 二哥──东芝记忆体，6 月份发生工厂停电意外后，减产 20%。该工厂同时替东芝和 Western Digital 生产 NAND，对 NAND 库存水位影响不小。
 
近来 NAND 市况好转，库存水位降至 4 个星期，约为 DRAM 库存水位的一半。与此同时，NAND 价格也止跌，6 月份 128Gb MLC NAND 合约价报 3.93 美元，虽是 2016 年 9 月以来新低，但价格持稳，现货价更略为上扬。做为对照，DRAM 6 月合约价续跌 11.73%。
 
重点是 NAND 涨价后，智慧手机和伺服器业者对 NAND 的需求能否维持。业界人士说，全球半导体业可能要到明年上半才会复苏，若是如此，当前涨势可能难以持续。
 
路透社报导，韩媒《Korea Economic Daily》9 日引述不具名业界消息称，三星电子和 SK 海力士考虑最快这个月起，减少 NAND 产量。两家公司否认相关报导，但是未多加评论。
 
日本限制半导体原料出口，短期内南韩记忆体巨擘难以找到替代供应商，但是可以趁机减少库存、拉高价格。要求匿名的南韩晶片商人士透露，日本对南韩祭出报复行动，南韩能清空堆积许久的晶片存货，并利用机会避免库存继续增加。
 
日本加强管制的 3 种原料，分别是用于智慧手机面板的氟化聚醯亚胺（fluorine polyimide）、用于晶圆制造的光阻剂和蚀刻气体（高纯度氟化氢）。