功耗与延迟皆有改善，三星推出第6代V-NAND

储存装置与设备 V-NAND 层数越叠越高，这当然是为了更大的容量。

Samsung 在美国时间 6 号端出第 6 代 V-NAND，除了更大的容量外，同时也将密度往上提升；相较于第 5 代 V-NAND，全新的第 6 代 V-NAND 有望在功耗部分降低 15%，同时在延迟部分降低 10%。

全新的第 6 代 V-NAND 采用 136 层电荷储存式快闪记忆体（Charge trap flash：CTF）元件，这主要是因为无法如过去般采堆叠方式进行建构。同时，Samsung 为了确保最小的错误以及让延迟降低，在电路设计部分需要采用全新的优化方式，而这也 256Gb 的 3D TLC 写入延迟低于 450μs，并且在读取时的延迟低于 45μs.

另一方面，136 层的 256Gb 使用 6.7 亿孔，远低于第 5 代 V-NAND 的 9.3 亿，这也意味着第 6 代 V-NAND 生产流程更少，以及更容易生产。更重要的是，Samsung 计划将 136 层的生产技术（含速度优化线路, speed-optimized circuit design）用以生产超过 300 层的 V-NAND。

目前 Samsung 接下来推出的 250GB SSD 将会导入 256Gb 的 136 层 3D TLC NAND，而今年稍晚则计划推出 512Gb 版本的 136 层 V-NAND。