100-200TB 容量 SSD 不是梦!!
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2019-08-10
NAND Flash 到2030 年可达 800+层堆叠
两大韩系 NAND 厂 Samsung 及 SK-Hynix 在早前都齐齐公布了新 NAND Flash 的发展，SK-Hynix 宣内成功研发并批量生产 128 层堆叠的 4D NAND Flash，而 Samsung 则推出 136 层堆叠的第六代 V-NAND Flash，不过 NAND Flash 堆叠仍未到达极限，SK-Hynix 公布了公司的规划路线图，预计在 2030 年将会推出 800+ 层的 NAND Flash，到时更可以轻松打造出 100-200TB 容量的 SSD。
于正在举行的 Flash Memory Summit 大会上，SK-Hynix 公布了旗下推出的新产品及公司未来的计划，目前 SK-Hynix 正在开发 128 层堆叠的 4D NAND Flash，其量产将于今年第四季度开始。在会上 SK-Hynix 亦展示了一款“PE8030”的全新 SSD，采用 PCIe 4.0x4 介面连接，提供了 800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量，连续读写速度最高可达 6200MB/s、3300MB/s，4KB 随机读写最高可达 950K IOPS、260K IOPS。
NAND Flash 在研发进程方面，目前 SK-Hynix 正在开发 176 层 NAND Flash，至于后续的发展呢?! SK-Hynix 公布了他们的 NAND Flash 路线图，具体如下：
- V4 72 层堆叠：目前大规模量产中 · V5 96 层堆叠：目前也在大规模量产中，产能即将超越 V4
- V6 128 层堆叠：2019年 Q4 季度即将规模量产 · V7 176 层堆叠：2020年问世
- 500 层堆叠：2025年问世，TB/wafer 容量比提升 30%
- 800+ 堆叠：2030 年问世，TB/wafer 容量比提升到 100-200TB NAND Flash
目前 SK-Hynix 生产的 128 层堆叠 NAND Flash 核心容量是 1Tbit，176 层堆栈时核心容量 1.38Tbit，预计 500 层堆叠时核心容量可达 3.9Tbit，到 800 层堆叠时则会高达 6.25Tbit，是现在的 6 倍多。 当前 SSD 硬盘最大容量在 15-16TB 左右，按照 6 倍核心容量的增长来算，未来 SSD 容量可达 200TB 左右，这个容量要比 HDD 还要高!!
关闭返回