3D NAND堆叠跨越100层大关！

三星(Samsung)和海力士(SK Hynix)表示将在今年推出堆叠超过100层的3D晶片，东芝(Toshiba)则首度亮相一款低延迟NAND，并期望以此蚕食DRAM市场。

在这场备受瞩目的年度活动中发布了几大亮点，但并非来自三星或美光(Micron)的主题演说。海力士与Western Digital (WD)都将软体定调为扩展储存的下一个利器，此外，今年的展场上还大量充斥着PCIe Gen 4固态硬碟(SSD)以及各种储存加速器。

NAND的价格正随着急剧下滑的记忆体市场一路探底。过去两年来，记忆体市场的需求和价格遽增，部份原因来自于“超大规模业者”(hyperscaler)的高资本支出，引发晶片制造商加码投资，从而导致目前的供过于求。

Objective Analysis首席分析师Jim Handy表示，“三星和其他业者仍然认为市场很快就会复苏，但他们完全不知道这一波降价何时才会结束。”

同时，供应商开始推出96层3D NAND晶片，并继续投入128层的产品。Handy说：“每个人都以为自己有能力做到堆叠500层的晶片。”

Forward Insights分析师Gregory Wong更看好记忆体市场前景。他看到了经销商的NAND价格已经开始上涨的征兆。Wong说：“情况开始好转了，因此，价格的最低点可能会落在Q3。”

三星日前宣布现正量产250GB SSD，采用每单元3位元的全新250Gbit NAND，堆叠超过100层。它还采用双堆叠设计，分别支援低于450微秒的写入和低于45微秒的读取速度，比上一代产品的速度更快10%，而功耗更低15%。

该晶片采用6.7亿个矽穿孔(TSV)，较上一代的9.3亿个大幅减少，同时还采用较少的制程步骤来制造更小型的晶片。该记忆体巨擘预计大约一年内将会推出采用3堆叠设计的512Gbit NAND晶片，支援300层以上。三星还承诺将在今年年底前于SSD中导入512Gbit晶片。

为了迎头赶上，海力士表示将在年底前出货1TB容量的3D NAND晶片。该晶片采用128层堆叠，并在NAND Flash单元之下封装周边电路。这款尺寸约11.5x13mm的1TB模组容纳8裸片，厚度仅为1毫米。

SK HynixTbit

海力士将于今年年底量产128层Tbit NAND晶片。

东芝(Toshiba)的单层式(SLC) XL-Flash将支援延迟低于5微秒的读取性能。单封装中容纳最多8个128-Gbit裸片，预计今年9月出样该晶片，并于明年量产供货。

XL-Flash分成16层，成本将会低于DRAM和英特尔的Optane记忆体，但速度则不如二者。随着东芝记忆体公司将自今年10月起更名为铠侠(Kioxia Corp.)，届时这款产品预计也将同步上市。而在此高峰会上发表专题演说的东芝SSD应用工程技术总裁大岛成夫(Jeff, Shigeo Oshima)还打趣地说：“我个人比较想投Sushi Memory公司名称。”

如同英特尔的Optane和三星的Z-NAND一样，东芝XL-Flash也属于持久性记忆体，目标就在于填补DRAM和NAND Flash之间的性能差距。XL-Flash一开始将以SSD的形式销售，但东芝希望最终能够扩展到DRAM产品组合。

总部位于北京的忆恒创源科技(Memblaze)是14家XL-Flash合作伙伴之一，将率先推出搭载XL-Flash的SSD。该公司表示，其PBlaze5 X26 SSD将可支援低于20微秒延迟的混合读写，以及“分区名空间”(Zoned Name Spaces)技术，从而提升MySQL性能。

分析师表示，低延迟记忆体将形成一个相对较小的利基市场。Handy表示，XL-Flash和三星的Z-NAND将储存划分成更小的阵列区块，以支援更多的平行性，从而加快了响应速度。

XL-Flash的裸片比NAND更大，价格也比较昂贵。Handy表示，它的速度比NAND更快，但不如Intel Optane。

迄今为止，英特尔已卖出将近千万台Optane SSD了，主要卖给超大规模客户。 Handy认为，短期内，英特尔可望在2023年出货达到35亿美元价值的Optane产品。根据该公司的报告预测，到2029年，所有新兴记忆体的可望达到200亿美元的市场规模。其中，Optane预计将占据约160亿美元，其余则主要是MRAM和ReRAM。

MRAM的目标是在28nm及更先进制程节点取代NOR flash。但这份报告并不包括对于NAND变化版本XL-Flash或Z-NAND的预测。

此外，东芝还推出一款14x18mm NAND封装的XFM Express，基本上是一种介于M.2和BGA封装尺寸之间的可插拔BGA，未来还将支援2-4个PCIe Gen3/4通道，用于笔记型电脑、游戏主机和汽车。

该新外形是许多NAND晶片采用的封装方式之一。东芝的一位SSD主管表示，伺服器储存卡市场特别零散。

东芝和海力士均宣布其首款支援PCIe Gen 4 (最多4通道)的SSD。东芝估计，追求更高性能的伺服器将自明年开始采用Gen 4 SSD，接着是在2021年导入笔记型电脑，以及在2023年落实于需要更严格验证的储存系统。

XFM Express是介于M.2和BGA封装外形之间的可插拔NAND模组。

Startup Pliops推出一款执行于Xilinx FPGA卡的储存加速器，据称将在年底前出货。在此“运算式储存”(computational storage)成为热门“关键字”的活动上，它可说是众多加速器中最引人瞩目的一款。

Pliops加速器承诺可卸载一半的CPU储存周期，同时加快写入作业的速度，使MySQL的速度提高7倍。其目标在于取代像Facebook这一类超大规模客户大量使用的RocksDB等软体。

迄今为止，Pliops已经从英特尔、Mellanox、WD和Xilinx等支持者手中集资了4,500万美元。该公司的创办人中有两位曾经是三星位于以色列的SSD控制器设计团队工程经理。从该公司的资金和发展来看，不久将会推出ASIC产品。

来自WD和海力士的主管表示，透过所谓的“分区命名空间”(Zoned Name Spaces；ZNS)，软体将成为加速NAND性能的下一个利器。WD资料中心和装置市场总经理Christopher Bergey表示，ZNS可以让SSD减少需要的DRAM达8倍之多，并减少10倍的储存“超额配置”(overprovisioning)，同时实现虚拟化。

WD和海力士都在会中展示其原型ZNS产品。对于海力士而言，此举是其扩展到SSD、SSD控制器和软体计划的一部份，也是其竞争对手较早进入且有利可图的产品领域。海力士的一位主管表示，ZNS可以减少资料碎片化，让SSD的寿命延长至67%，并使混合工作负载的QoS提高25%。

SSD

SSD外形尺寸非常零散分歧，特别是针对伺服器应用。

有鉴于美中贸易战的紧张局势，中国NAND flash业者长江存储(Yangtze Memory Technology)并未在今年的活动中发表主题演讲。去年，该公司大张旗鼓地展示并讨论其计划，但迄今尚未取得成果。

据传长江存储将在其月产20,000片晶圆的产线出样其64层元件，但仍较市场领导业者落后两个世代。同样地，中国专家在此举行的专题讨论上表示，中国领先的DRAM业者长鑫储存技术(Changxin Memory Technologies；CXMT)正为明年初发布的8Gbit DDR4元件进行验证。

中国领先的NOR flash供应商之一北京兆易创新科技(Gigadevice)策略顾问Michael Wang预计，很快就会亮相新的NAND产品。

杭州华澜微科技(Sage Microelectronics)执行长骆建军(Jerome Jianjun Luo)并在专题讨论上邀请观众参加即将在杭州举行的NAND活动。“如果你想直接和长江储存洽谈，我强力推荐你在两周内前往。”