美光扩大NAND产能，将率先使用1z nm制程生产DDR4
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2019-08-19
美国美光宣布将率先采用全新的 1z nm 制程生产单颗 16Gb 的 DDR4 记忆体，相较现行 1y nm 制程， 1z nm 制程能够进一步提升性能并降低成本。此外，位于新加坡的 Fab 10 记忆体生产厂房也在上周完成扩建，预计在 2019 年开始进行量产，不过工厂扩建计划与生产计划是评估市场需求后的结果，美光在扩建后并无剧烈增加产能的规划。
美光强调 1z nm 制程将达到业界最小尺寸，可作为生产常规型的 DDR4 、针对行动装置的 LPDDR4 与图形产品的 GDDR4 产品线等，当前 1z nm 的 16Gb DDR4 相对采用 1y nm 的 DDR4 能够降低 40% 功耗。美光计划透过 1z nm 量产行动装置用的 16Gb LPDDR4X 颗粒，并提供基于 UFS 规范的 uMCP4 封装， uMCP4 封装可在单一封装堆叠 8 颗晶圆，实现 16GB RAM 的最大容量，较现行 LPDDR4 提升一倍。同时采用 1z nm 的 LPDDR4X 不仅具备低功耗特色，还具备达 4,266Mbps 的传输性能，对于高 RAM 传输应用如 4K 影像拨放可较 1y nm 世代降低约 10% 功耗。美光也预计提供基于 1z nm 晶片、混合 RAM 与储存的解决方案，将自 3GB RAM 搭配 64GB 储存到最大 8GB RAM 搭配 256GB 储存等八种配置。
美光强调 1z nm 制程将达到业界最小尺寸，可作为生产常规型的 DDR4 、针对行动装置的 LPDDR4 与图形产品的 GDDR4 产品线等，当前 1z nm 的 16Gb DDR4 相对采用 1y nm 的 DDR4 能够降低 40% 功耗。美光计划透过 1z nm 量产行动装置用的 16Gb LPDDR4X 颗粒，并提供基于 UFS 规范的 uMCP4 封装， uMCP4 封装可在单一封装堆叠 8 颗晶圆，实现 16GB RAM 的最大容量，较现行 LPDDR4 提升一倍。同时采用 1z nm 的 LPDDR4X 不仅具备低功耗特色，还具备达 4,266Mbps 的传输性能，对于高 RAM 传输应用如 4K 影像拨放可较 1y nm 世代降低约 10% 功耗。美光也预计提供基于 1z nm 晶片、混合 RAM 与储存的解决方案，将自 3GB RAM 搭配 64GB 储存到最大 8GB RAM 搭配 256GB 储存等八种配置。
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