美光宣布量产第 3 代 10nm级制程 DRAM

根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出，日前美系记忆体大厂美光科技 (Micron) 正式宣布，将采用第 3 代 10 奈米级制程 (1z nm) 来生产新一代 DRAM。而首批使用 1z nm 制程来生产的 DRAM 将会是 16GB 的 DDR4 及 LPDDR4X 记忆体。对此，市场预估，美光的该项新产品还会在 2019 年底前，在美光位于台湾地区台中的厂区内建立量产产线。报导指出，美光指出，与第 2 代 10 奈米级（1y nm）制程相比，美光的第 3 代 10 奈米级制程 (1z nm) DRAM 制造技术将使该公司能够提高其 DRAM 的位元密度，从而增强性能，并且降低功耗。此外，以第 3 代 10 奈米级制程所生产新一代 DRAM，就同样是 16 GB DDR4 的产品来比较，功耗较第 2 代 10 奈米级制程产品低 40%。另外，在 16 GB LPDDR4X DRAM 方面，1Z nm 制程技术将较 1y nm 制程技术的产品节省高达 10% 的功率。而且，由于 1z nm 制程技术提供的位元密度更高，这使得美光可以降低生产成本，未来使得记忆体更加便宜。
报导进一步指出，美光本次并没有透露其 16 Gb DDR4 DRAM 的传输速度为何，但根据市场预计，美光的新一代 1z nm 制程 DRAM 记忆体将会符合 JEDEC 制定的官方标准规格。而首批使用美光新一代 1z nm 制程 16 GB DDR4 记忆体的设备将会是以桌上型电脑、笔记型电脑、工作站的高容量记忆体模组为主。至于，在行动记忆体方面，根据美光公布的资料显示，1z nm 制程的 16 GB LPDDR4X 记忆体的传输速率最高可达 4266 MT/s。此外，除了为高阶智慧型手机提供高达 16 GB（8×16Gb）LPDDR4X 的 DRAM 模组外，美光还将提供基于 UFS 规格的多记忆体模组（uMCP4），其中内含 NAND Flash 和 DRAM。而美光针对主流手机的 uMCP4 系列产品将包括 64GB＋3GB 至 256GB＋8GB（NAND＋DRAM）等规格。虽然美光没有透露其采用 1Z nm 技术的 16 Gb DDR4 和 LPDDR4X 记忆体将会在哪里生产，不过市场分析师推测，美光其在日本广岛的工厂将会采用最新的制造技术开始批量生产，而在此同时，也期待 2019 年底前在台湾台中附近的美光台湾晶圆厂将开始营运 1z nm 制程技术的生产线。