第三代半导体全球专利分析，中国数量已超美国

据中国知识产权报报道，作为近年新兴的技术，第三代半导体主要聚焦于碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体新材料领域的突破性技术发展以及新材料器件研发。
据了解，20世纪初出现第三代半导体相关专利申请，大约在2000年以后，相关专利申请开始进入快速增长阶段。美国早期领衔全球专利增长，2010年前后我国的申请量首次超过美国。美国、日本、中国、韩国、德国等国家或地区相关专利申请量增长较快。截至2018年9月30日，第三代半导体产业专利总量约为8.751万件。碳化硅、氮化镓、其他金属氧化物三种主要材料申请数量较为接近；其中碳化硅材料功率半导体和器件工艺较为热门，氮化镓材料外延生长和光电子比重较大。具体来看，氮化镓具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射等优点，又与现有硅半导体工艺兼容性强，在降低成本方面显示更大的潜力。
当然，产业繁荣也离不开政府的资助与扶持，自1987年美国政府以年预算补贴10亿美元资助14家美国半导体企业组成Sematech联盟以来，美国政府始终不遗余力地增加对半导体、人工智能等新兴技术及产业的投入，以期开创下一个十年乃至百年的领先。
根据美国国家“电子复兴计划”（ERI）已公开的一部分内容显示，整个项目资金已经达到22.5亿美元，将专注于开发用于电子设备的新材料、将电子设备集成到复杂电路中的新体系结构以及进行软硬件设计上的创新。