升级10nm单条 32GB容量 三星首批 A-Die内存现身

Samsung B-Die 已被广泛认为是一款优秀的高性能 DRAM 记忆体，由于由于有着高频、低时序、吃电压等几大特性，普通一条的 DDR4-2133 记忆体，都可以轻易超上 DDR4-3200 甚至 DDR4-4000，深受不少超频玩家的青睐。然而，Samsung 在 5 月份时已宣布将 B die 停产，取而代之的就是用上 Samsung 1z nm（1z 级别）光刻工艺制造 A-Die 替代品。

随着全球需要进行越来越多的数据处理及储存容量，记忆体 DRAM 颗粒密度的增加变得越来越重要，Samsung 亦不得不调整公司的方向，由于容量所限 B-Die 颗粒已经进入了 EOL 状态，并交由更密集的 M-Die 及 A-Die 产品去接替。

在工艺制造上，旧有的 Samsung B-Die 是采用 20nm 工艺生产，至于新的 A-die 记忆体则会转向更新的 10nm 节点，预期在制程提升的情况下，新的 A-die 记忆体有望能够实现更高的时脉速率，同时单颗 die 可以做到 16Gb 或 32Gb，即 2GB 或 4GB 容量，最高能做到单条 32GB 容量的记忆体。

 

根据外媒 Hardwareluxx 最新挖出的消息，是一款识别为“M378A4G43AB2-CVF”型号的 A-Die 记忆体，这是一款容量为 32GB 的双排记忆体。如果你还记得，Samsung 的承诺之一就是在新的 A-die 记忆体中提供更高的容量。规格方面，这款 Samsung 新记忆体的额定运行时脉为 2,933 MHz，时序为 CL21-21-21、1.2V 工作电压。

 

从以上曝光的资料来看，这款新的记忆体速度相当不错，不过由于 A-die 仍属非常早期的产品，应该还有不少的进步空间，究竟 A-Die 在超频方面能否超越旧有的 B-Die，还是拥有相同的效能，就有待 Samsung 日后公布吧。