台媒:大陆记忆体发展短空长多
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2019-09-09
近期大陆紫光集团在记忆体的布局动作频频,包括宣布与重庆合作,在重庆建造12吋厂生产DRAM,规画2019年开工、2021年投产。
显然在美中贸易战的驱动下,让中国不得不加快国产比例近乎为零的记忆体之发展,而中国台湾地区过去的半导体大将则在对岸记忆体布局当中扮演关键推手的角色,亦引发台厂人才持续流失的疑虑。
长江存储2019年底前将依照进程正式量产64层Xtacking 3D NAND产品,随着长江存储2020年产能逐步扩大,预计2020年底扩张达至少达60K/m的投片量,加上DRAM技术主要来自先前德国Qimonda的合肥长鑫,公司在合肥斥资80亿美元打造一座晶片制造厂,预计2019年底前投产这些关键的记忆体零件。不过整体进展未如原先预期顺利,主要是福建晋华与联电的部分因与Micron产生专利纠纷、窃密案,而在2018年11月被美国进一步祭出禁售令的制裁,导致福建晋华DRAM生产进度到2019年9月仍还是近乎停摆的窘境;况且美、日、韩阵营仍对长江存储、合肥长鑫、紫光国微的专利授权情况予以高度关注。
整体而言,短期内大陆在记忆体的发展恐仍有初期所需面临的门槛,毕竟不论是利基型记忆体、NAND Flash、DRAM,早就被南韩、日本、美国等业者所掌握。况且美中贸易战下,各国与中国的相关合作计划或合并,都会面临来自于美国政府的关切与压力,故大陆藉由收购海外记忆体优质资产、专利、人才的捷径将遭到阻绝,因而在缺乏国际大厂的专利授权保护下,大陆记忆体的量产仍将笼罩于侵权的阴霾之中,而自行研发则须相当的时间。
不过中长期来说,只要大陆掌握了记忆体发展的关键因素,恐将仿效过去行业的经验,快速大幅扩产来抢占市占率,届时恐将对全球记忆体市场的供需结构造成压力,并对既有的竞争者版图产生挪移的效果,显然大陆中长期自建记忆体供应链,将挑战韩美寡占全球市场的局面。
而大陆记忆体发展箭在弦上不得不发,对于台湾半导体业的影响,主要将是面临被大量挖角的风险,毕竟对岸在记忆体相关的人才缺口仍大,而台湾在全球记忆体的市占率并不高,反观未来中国记忆体将从无到有,发展的舞台与愿景相对吸引人。
若是从两岸记忆体技术的合作面向,短期内则是较为困难,毕竟有福建晋华与联电技术合作,而造成美国Micron对其两家控告侵权,加上贸易战摩擦未止,台湾业者为管控营运风险,应尽量不会触碰技术方面的合作。