记忆体厂砍支出 挽救价格跌势

根据市调机构IC Insights报告，由于记忆体产业在2017～2018年间大举投资扩产，随着产能大量开出，导致记忆体市场近一年来供给过剩且价格下跌，在记忆体厂减少资本支出及延后扩产下，拖累2019年全球半导体产业资本支出规模年减约8％至978亿美元，较去年减少80亿美元，而记忆体产业占全球资本支出比重亦降至43％。

法人认为，记忆体价格走跌，已有效刺激出市场需求，而记忆体厂下修资本支出，价格跌势将趋于和缓，第三季DRAM及NAND Flash合约价已见止跌，对南亚科、华邦电、旺宏等记忆体厂营运有正面助益。

根据统计，2017及2018年全球半导体产业资本支出创下历史新高，自2013～2018年，记忆体产业资本支出占全球资本支出比重由27％大举跳升至49％，2019年下降至43％，整体来看7年来的年复合成长率（CAGR）高达18.9％。

IC Insights预期今年全球半导体资本支出规模将年减8％至978亿美元，其中，快闪记忆体（Flash）产业资本支出年减21％为223亿美元，DRAM产业资本支出年减19％至192亿美元，整体记忆体产业资本支出年减约20％至415亿美元。

由记忆体市况来看，以NAND为主的Flash产业资本支出在过去两年大幅增加，过去18个月当中，包括英特尔、东芝记忆体及威腾（WD）、武汉新芯及长江储存等都加快3D NAND的量产，至于DRAM产业新增产能虽不多，投资主要是进行制程向1x/1y奈米推进，包括三星、SK海力士、美光等三大厂都有不小的DRAM及NAND Flash新增产能开出。

由于DRAM及NAND Flash市场同步出现供过于求，导致价格持续下跌，直到今年第三季才看到止跌，但市场库存水位仍居高不下。IC Insights指出，过去两年全球各大记忆体厂的扩产计划都已完成或接近完成，产能增加导致价格下跌，所以今年记忆体厂明显缩减资本支出。

至于记忆体价格是否续跌，IC Insights认为取决于各厂对资本支出的调整，由于美光及SK海力士等大厂已有减产动作，若减产态度持续应可平缓记忆体价格跌价趋势。再者，由短期供需面来看，供给过剩造成的低价已让消费者开始增加搭载容量，或多或少能弥补记忆体厂的跌价损失。