中国大陆火攻记忆体

近期中国大陆紫光集团再对外公开表示，与重庆市签署合作协议，将在重庆建立DRAM研发中心与DRAM厂等，并预计在2021年完工投产，另也传出紫光将与美光结盟抢攻半导体，两消息再引起业界高度关注。事实上，大陆的记忆体产业早已开始发展，业界表示，大陆今年在贸易战压力下，更将加速推动记忆体产业的布局。

中国紫光集团大动作宣布与重庆市签署合作协议，让全球及台湾科技产业高度关注中国大陆提升半导体自制能力的布局及进展，尤其此次是针对记忆体产业进行新一波的生产基地布局。

市调机构指出，观察中国大陆记忆体产业发展，自2014年来历经大基金的成立及各地方政府投入发展，DRAM产业出线的有合肥长鑫与晋华集成两家，NAND Flash产业以长江存储为发展主力。

中国在半导体产业链的完整性独缺DRAM这块版图，去年福建晋华却因为踩到美光的红线，且遭到美国制裁，造成营运停摆，研发的进程也没有明显推进。业界人士说，福建晋华遭美国发布禁售令，发展DRAM严重受挫，这可能是促使紫光重启开发DRAM计划的主因之一，虽然福建晋华发展受挫；不过，合肥长鑫存储技术公司发展相对顺利，该公司已规划在今年底前推出自有的DDR产品。

中国第一家本土DRAM供应商长鑫存储技术公司（CXMT），拥有数千名员工，每年的资本支出预算约为15亿美元，预计在今年底前量产行动式8GB的DDR4产品。

今年6月，日本媒体“日经新闻”报导，长鑫储存已经重新设计自家的DRAM晶片，并大幅降低美国晶片的使用量，该报导还指出，长鑫储存已在中国合肥斥资80亿美元，大约2400亿新台币的资金，打造一座晶片制造厂，预计今年底投产，一开始预计将月产10,000片矽晶圆。

一位熟悉长鑫储存计划的人士说，长鑫今年的资本支出将达到10至15亿美元，这已超越中国台湾地区最大、也是全球DRAM排名第四的南亚科，南亚科去年的资本支出仅约6.5亿美元，从资本支出的规模，也不难看出，中国的企图心的强烈，及未来在全球记忆体产业将会具有的影响力。

记忆体产业的业界人士表示，以中国大陆的大方向来看，自主发展记忆体产业是必定要走的路，由于中国大陆的记忆体用量占全球三分之一，如果可以自产取代进口，对于自主可控的程度将有很大的助益。

另外，记忆体在新兴科技上也占有相当重要的地位，包括车用、云端运算、伺服器等，甚至是手机、PC等的应用，因此，记忆体产业发展是未来中国自行发展半导体产业，乃至整个科技产业的发展基石；而这个中国大陆不得不走的方向，在今年美中贸易战层面扩大至科技战之后，更加速、也更坚定中国大陆的记忆体产业发展步调。