三星再发全新12层3D-TSV封装技术巩固市场优势

3D封装技术再现新突破。三星(Samsung)近日宣布，该公司已经开发出业界首个12层三维矽穿孔(3D-TSV)封装技术。3D-TSV技术(尤其是12层)被认为是现今大规模量产高性能晶片所面临的巨大挑战之一，因为需要极高的精度才能通过拥有60,000多个TSV孔、以3D封装垂直互联的12个DRAM晶片。

三星电子测试与系统封装执行副总裁Hong-Joo Baek表示，随着各种新时代的应用不断兴起，像是人工智慧(AI)、高性能运算(HPC)等，能提升记忆体性能的封装技术变得越来越重要，也越来越复杂。同时，随着摩尔定律的扩展逐渐达到极限，预计3D-TSV技术的效用在未来将更加重要与关键，而该公司希望在此一领域一直维持在领先地位。

据悉，12层3D-TSV封装技术的厚度与当前8层第二代高频宽显示记忆体(HBM2)相同，这在元件设计上是一大进步，因对客户而言意味着可行更高容量、更高性能的设计，而毋须大幅改变系统架构设计。此外，透过3D封装技术，将可使晶片间的资料传输时间更明显的缩短，在明显提高资料传输速度的也降低功率损耗。

总而言之，依靠新研发的12层3D-TSV 技术，三星将可为资料密集、高速传输等应用提供效能更高的DRAM；而且，透过将堆叠层数从8个增加至12个，三星将能在很短的时间内大量生产24GB高频宽记忆体(容量为目前是市场上8GB高频记忆体的3倍)。另一方面，三星也希望凭藉12层3D-TSV技术，满足快速成长的大容量HBM市场需求，并同时希望该公司在高阶半导体/记忆体市场的竞争优势。