三星 拟追加投资西安半导体厂

三星电子正考虑为兴建中的第二座西安ＮＡＮＤ型快闪记忆体工厂追加投资。业界人士认为，在记忆体市场供应过剩之际，三星此举可能为市况增添不确定性。

韩媒BusinessKorea报导，证券与半导体产业消息人士九日透露，三星电子计划将记忆体晶片厂明年资本支出小幅调高至六十五亿美元，增加的金额预期投入西安第二座半导体工厂，将在年底宣布计划。

三星已在二○一四年完工的首座西安厂量产第一代Ｖ-ＮＡＮＤ型快闪记忆体。然而，三星二○一七年八月与西安省政府签署兴建第二座工厂的备忘录，并宣布直到二○二○年前计划投资七十亿美元，因为当时即使第一座工厂产能全开，ＮＡＮＤ供应也不足。

三星为遵守向陆方的承诺，正面临要在明年八月前让第二座西安厂完工并全面营运的压力。不同于ＤＲＡＭ市场，ＮＡＮＤ快闪记忆体市场正逐渐显示复苏迹象，在ＳＫ海力士与美光等其他厂商减产之际，三星此举将乘机拿下更多市占，但将为市况增加不确定性。