搭载SK海力士128层1Tb闪存的5G手机，有望明年问世

搭载SK海力士存储器半导体“128层1T 4D NAND闪存”的5G智能手机、电脑、数据中心，有望在明年问世。

SK海力士新闻室于20日表示，本月向智能手机制造商提供128层NAND闪存移动解决方案“1TB UFS 3.1样品”，该产品的智能手机将于明年下半年生产。
今年6月，SK海力士发布“128层1T 4D NAND闪存”，并推出相关解决方案。SK海力士表示，使用该解决方案，所需的芯片数量比512Gb（Gibit）NAND要少一半，适合安装在厚度更薄的智能手机。
以此次供应样本为开端，SK海力士计划扩大5G智能手机市场。SK海力士发表第3季财报时曾提到，中国政府正在大力普及5G智能手机，明年存储器半导体需求有望急剧增长。
另一方面，SK海力士近期也向客户提供128层1T 4D NAND闪存的电脑用产品“2TB cSSD”，以及数据中心用产品“E1.L 16TB eSSD”等样品，外界预估，若这些产品获得客户认证，SK海力士就能正式量产这些产品，明年有望在上半年量产PC用产品，下半年量产数据中心用产品。