二大趋势催动记忆体明年二季度回温

DRAM与储存型快闪记忆体（NAND Flash）景气回春，业界认为，主要与5G带动边缘运算、伺服器等需求增温，以及智慧手机扩大搭载记忆体容量趋势带动下，各大记忆体晶片厂库存陆续回到正常水位有关。

就DRAM趋势来看，专业记忆体市调机构集邦科技分析，先前主要大厂在1X奈米制程伺服器用DRAM遭退货，大量不良品低价转销现货市场，导致DRAM现货价格疲弱。虽然这批库存迄今仍未去化，但因模组厂以及在通路的经销商开始愿意增加库存准备，有利消化不良品库存消化，带动DRAM现货价格上扬。

DRAM供需历经近五个季度的库存调整，将于本季趋于平稳，在库存回到合理水位及备货意愿增强下，明年第1季DRAM可能呈现淡季不淡。

 NAND晶片方面，业界认为，原厂库存已逐渐去化，加上5G技术应用基础设备开始建置，车载系统普及率上升、内容创作者等NAND储存新应用兴起，推升市场对记忆体产品需求，价格也将反弹走扬。