明年需求扩张、供给收敛 DRAM先跌后涨

第一阶段贸易协议在颠簸中进入尾声后，市场焦点终就将转向难度更高的核心问题，但以明年11月美国总统大选，期间双方降低摩擦的机会较大；谈判的另一方可能也倾向较低姿态，以让自身经济修身养息。资金充沛，以美国为首的全球景气衰退疑虑骤降，投资市场从Risk off转向Risk on仍将持续。

明星产业分析：

记忆体大厂美光公布最新财报优于市场预期，本季在手机和Server需求拉动下，DRAM价格下跌幅度大幅趋缓，高阶Server DRAM甚至出现短缺；NAND价格则止跌回升，价量齐扬，美光认为2020年在Data Center以及手机搭载记忆体容量提升带动需求成长之下，需求成长将大于供给成长。

记忆体产业历经上一波FANG云业者大幅投资Data Center拉动需求，供不应求而大涨，供给开出后，再因云业者延迟资本支出而价格崩跌，产业气氛低迷，一直到今年第三季受惠日韩贸易摩擦以及东芝与WD工厂停电，引发下游一波补库存需求，记忆体现货价掀起一波涨幅，合约价跌幅也大幅收敛，直至第四季因三星供应Data Center的DRAM颗粒出现瑕疵，下放到现货市场，造成DRAM现货价快速跌落回7月起涨点。

据了解，业内部份DRAM模组厂，预期以中国大陆客户目前低库存水平，农历春节后将有明显的补库存需求，因此看好价格上涨的时间点将提早至第一季，许多业者利用这次价格低点积极建立库存，部分模组厂甚至已开始停止报价。

以记忆体循环角度，明年需求扩张、供给却收敛，记忆体产业未来的走势值得关注。在需求方面，FANG资本支出上半年同期衰退2％后，预期下半年年增17％，从Amazon第三季资本支出较上季增加32％、较去年成长40％，可以看见云业者资本支出回升的力度，再以FANG投资高峰在2016～2017年推算，预期2020年Server将开始出现记忆体更新需求，以Server DRAM搭载量将由2019年309GB提高至2020年390GB，再加上Intel将发表的Whitley 平台在DDR channel 将由6通道增加至8通道，2020年Server DRAM的需求值得关注，南亚科预估明年Server DRAM位元成长将达三成。

此外，手机记忆体容量亦持续提升，例如华为mate30、P30配置从4/6GB提升至6/8GB，三星S10、Note10也从6/8GB提升至8/12GB。以Gartner数据，手机平均搭载DRAM容量将由2019年的3.78GB提高至2020年的4.59GB，年成长达21％。

供给端四大态度影响DRAM供需甚巨，市场聚焦三星。从过去两次DRAM循环，三星都未遭遇营运压力，2010～2012年受惠手机业务营收成长1.6倍、获利成长3.25倍抵销半导体事业衰退；2015～2016年受惠竞争者退出，市占率提升，半导体事业几乎没有衰退。但在此次循环，三星去年半导体获利占76％，在过去6个季度衰退73％，因此7月日韩纷争，三星带头喊涨；虽然第三季开始，受惠华为手机海外市场受阻，三星手机事业回温，但在上半年记忆体资本支出降幅超过四成后，对未来资本投入仍然保守；其他如Hynix今年资本支出也减少超过四成，也表态明年支出持续缩减；以各大厂都有足够动机控制供给，在降低资本开支以及减产下，预期明年供给扩张将会明显收敛。