旺宏87亿元投入3D NAND研发等设备

记忆体制造厂旺宏董事会今天通过资本支出预算，预计投资金额新台币87亿元，规划明年第1季起陆续投资3DNAND研发相关设备。

旺宏表示，资金来源以自有资金及银行融资为主，投资项目包括3D NAND研发的机器设备、厂务系统扩充及明年经常性资本支出。

展望明年快闪记忆体市况，旺宏日前预期储存型快闪记忆体（NAND Flash）与编码型快闪记忆体（NORFlash）产品，明年都有涨价空间。

在5G应用布局，旺宏指出在5G基地台有不错斩获，不仅华为（Huawei）产品几乎都用旺宏的NOR Flash产品，全球8成的5G基地台供应商也都是旺宏的客户，预期明、后年将会是出货高峰。

旺宏并看好工业、车用与医疗领域产品可稳定成长，今年在NOR Flash比重将约25%，并以50%比重为长期努力目标。