力成Q4营收拚新高 DDR5开始出货

记忆体市场景气触底回升，随着铠侠、美光、英特尔等大客户扩大96层及128层3D NAND出货放量，加上DDR5封装制程将由打线封装转换成晶圆级封装，记忆体封测大厂力成（6239）第四季营收可望创下历史新高。

同时，力成2019年提高资本支出扩充产能，2020年第一季新产能开出，营运可望随着记忆体市况回温而重拾逐季成长动能。

力成受惠于铠侠（前日本东芝记忆体）提高96层3D NAND出货，带动封装量能增加及测试时间拉长，加上伺服器DRAM及固态硬碟（SSD）接单强劲，公告11月合并营收月增1.3％达63.94亿元，连续两个月创下单月营收历史新高，与去年同期相较成长16.7％。累计前11个月合并营收达599.25亿元，较去年同期下滑4.4％。

由于DRAM及NAND Flash价格止跌上涨，主要日本及美国客户对第四季及2020年展望乐观，法人预估力成第四季合并营收将逾190亿元改写历史新高，季增幅度超过7％优于预期，2020年受惠于3D NAND层数提升及DDR5推出，全年营收及获利将优于2019年，有机会改写历史新高并挑战赚进一个股本。力成不评论法人预估财务数字。

力成董事长蔡笃恭在日前法说会中表示，力成过往每年资本支出约介于140～150亿元之间，2019年因国际情势变化及记忆体价格下跌，所以投资相对保守仅约100亿元。不过，第四季资本支出投入产能预计在2020年第一季开出，为因应2021～2025年的先进技术需求，2020年开始资本支出将再度进入扩张期。

在NAND Flash封测布局部份，由于主要客户2020年96层3D NAND出货比重将较2019年提升一倍，加上128层以上3D NAND开始进入量产，除了增加封装需求，测试时间也明显拉长。力成2020年NAND Flash月产能将由2.75亿颗提升至3.6亿颗，加上SSD模组封测产能增加，有助于提高营收及推升毛利率表现。

2020年DRAM厂将开始量产新一代DDR5，美光及南亚科均已完成布局，由于DDR5封装制程改变，将由过去采用多年的打线封装转换为晶圆级封装，高阶应用还会采用覆晶封装。

由于封装制程转换将带动DRAM平均封测价格提升，随着DDR5出货量逐季提高，对力成营收及毛利率亦有明显加分效益。