旺宏、华邦攻3D NAND与新制程研发

记忆体大厂旺宏董事会通过资本支出预算87亿元，主要扩充3D NAND研发机器及厂务系统；同业华邦电 也预计先在中科厂进行新制程研发，预计投入共逾16亿元。
旺宏23日董事会通过资本支出预算，预计投资金额新台币87亿元，规划明年第1季起陆续投资3D NAND研发相关设备；资金来源以自有资金及银行融资为主。
在3D NAND研发进度方面，旺宏预计明年下半年量产48层3D NAND Flash，届时游戏机大客户可望采用，并将于2021年量产96层3D NAND，于2022年量产192层3D NAND。
旺宏并看好明年快闪记忆体市况，预期储存型快闪记忆体（NAND Flash）与编码型快闪记忆体（NORFlash）产品，明年都有涨价空间。公司也看好5G应用市场，不仅华为（Huawei）产品用旺宏的NOR Flash产品，全球8成的5G基地台供应商也都是旺宏的客户，预期明、后年将会是出货高峰。
另外，记忆体大厂华邦电子23日董事会核准资本支出预算，金额约4.96亿元，将用于投入中科12吋厂新制程研发设备等，加上10月25已通过的扩产资本支出11.88亿元，共将在中科厂投入逾16.8亿元资本支出，预计自今年第4季起陆续投资。
华邦电子中科厂营运效率明显提升，公司改变原先规画，华邦电高雄新厂预计延至2022年1月装机。在中科厂先进行下世代新制程研发，新产能预计明年第2、3季开出。
华邦事长焦佑钧日前表示，内部原先认为台中厂没有空间建置机台，进行25奈米至20奈米新世代制程良率提升，但在员工努力下，生产力提升，目前计划在台中厂进行新世代制程良率提升，再移转至高雄厂，将有助成本下降很多。