台媒：中国大陆记忆体业现状

中国是全球记忆体最大市场，不论DRAM或NAND，中国的需求量皆远远地超越其他地区，进口替代成为中国最优先的策略。早在贸易战开打之前，中国就倾全力发展记忆体产业，力图减少对外倚赖，建立自主的产业供应链。SK海力士、三星及英特尔在中国皆有记忆体晶圆厂，皆为贴近市场及呼应中国的政策。

目前全球的记忆体供应链掌握在韩、美、日3国少数厂商手上，DRAM方面，三星占有约45%市占率、SK海力士约28%、美光约20%；NAND Flash方面，三星市占率约32%、SK海力士约10%、铠侠（Kioxia，原东芝记忆体）约19%、威腾约15%、美光约14%、英特尔约8%。

紫光集团于2015年7月间传出欲以230亿美元收购美光，不过基于国安考量，此项收购无法成局。平心而论，收购是进入高科技新技术的终极捷径，不仅可即时获得生产、研发技术，且可取得完整的专利库，避免专利诉讼。
收购之路窒碍难行，在政策及资金支持下，各地大量投资DRAM及NAND晶圆厂。合肥长鑫9月宣布，自主设计的19奈米DRAM开始量产，初期月产能2万片，预计明年中扩充至4万片，此次量产产品，预计于11、12月开始出货，最重要的观察指标是良率。
长鑫的DRAM厂共规划3个厂区，1厂已进入量产，规划产能最高12万片，不过短期内，长鑫没有计划快速扩充投产规模到最大，该厂已投入约30亿美元，在量产19奈米制程之际，也同步进行17奈米的研发，下一阶段的4万片产能将可能导入17奈米制程。
除长鑫外，紫光集团也加入DRAM生产，紫光结合大基金与重庆市政府兴建DRAM厂，预计2021年投产；紫光集团预计未来10年，总计投入8000亿元人民币发展DRAM产业。
NAND主要投入的厂商为紫光旗下的长江存储，受惠于旗下武汉新芯既有12吋厂，及该厂10年以上记忆体的研发经验，加上与海外伙伴的策略合作，长江存储领先中国记忆体业，于2017年完成设计并生产出首款32层3D NAND。
今年9月长江存储64层3D NAND进入小量生产，目前良率正逐步拉升，预计2020年的月产能规模，将朝向10~15万片逐步增加。2020年，长江存储将跳过96层技术，直接研发128层技术。 

除了长江存储外，总投资达240亿美元的紫光成都存储也规划将登场，预计建设3D NAND记忆体产线，初步产能规模上看10万片，可望于2021~2022年开始投产。
中国记忆体业者，虽然已度过开发期且开始量产出货，俨然将成为记忆体新势力，若是中国业者规划的产能全数开出，将造成市场不小的波动。
中国业者最大的考验是技术仍落后领导业者1~3个世代，其次是良率可能与领导厂商有一段不小的距离，这2项因素将使中国厂商的成本居高不下，开始量产是大量“烧钱”的起点，加上记忆体产业景气循环的振荡，中国记忆体业者的“钱景”恐不容乐观。