三星短暂跳电，南亚科股票领涨

韩国三星电子华城厂日前发生约1分钟的短暂跳电事故，市场预期对于DRAM、NAND Flash的产能有短期影响，刺激台厂包括南亚科 (2408) 、华邦电 (2344) 以及旺宏 (2337) 等股今早全面开高。

根据外电报导，三星电子位于韩国华城的晶圆厂区于2019年12月31日发生短暂跳电事故，影响该厂区DRAM、NAND Flash及采用极紫外光（EUV）技术的逻辑晶片生产。三星正在进行生产产线检查，在了解受损程度之后，希望可以在最短时间内恢复生产。据相关业者指出，晶圆厂都有电力备援系统，整体来看对记忆体市场影响十分有限，但短期预期心理加上本季DRAM价格看涨的题材，激励股价续强。

DRAM市场库存调整近尾声，今年可望随着记忆体市况逐季好转。南亚科去年第四季获利预估持续下滑，但本季有机会淡季不淡，上周吸引投信持续买超。

南亚科即将公布12月营收。公司10、11月营收接连写下今年7月以来低点，但法人预估12月营收止跌，估月增率上看一成，但整体上季的营收比前一季高档下滑逾5%，受到产品价格仍小跌，去年第四季本业获利预估也续降。

展望今年，随着市场供需改善，研调机构看好今年DRAM市场回复成长。南亚科也预估去年第四季DRAM供需平稳，价格持平或小幅涨跌，预计最快今年第一季产品价格止跌回升。

据最新调查DRAM现货价的翻扬改变市场氛围。在预期性心理因素下，有利于合约市场中买方的备货意愿提高，目前预估合约价可能提前至2020年第一季止跌。