三星跳电预期冲击小

针对 2019 年 12 月 31 日南韩三星电子于华城厂区所发生的跳电事件，整体影响到 DRAM、NAND Flash 及 LSI 方面采用 EUV 技术来生产系统半导体的部分，分析机构指出，在跳电时间较短的情况下，虽然影响缩小到可控制的范围内。但是，其真正的损失数字仍有待三星在进行完产线检查后进一步公布。不过，相关的市场影响已开始发酵，2 日台股早盘，相关记忆体族群都已有股价表现。

三星电子位于南韩华城的工厂，在 2019 年 12 月 31 日发生了短暂的跳电情况，使得华城厂区内的部分工厂短暂停产。整个跳电时间约 1 分钟，之后立即恢复供电，目前三星正在积极的进行产线检查，在了解受损程度之后，以便在最短时间内恢复生产。三星华城厂区短暂停电事件因为停电时间小于 3 分钟，厂区的 UPS 不断电系统适时给予支援而避免大范围的冲击，但正常的工厂作业流程仍需停机检查，初步确认影响有限。

三星华城厂区发生跳电的 NAND Flash 工厂为 Line 12，主要以生产 2D NAND 为主，并非主流 3D NAND 产品。除此之外，该厂区也有 DRAM 生产（Line 13 部分）与 LSI 生产（Line 11 与部分 Line 13）。但由于 Line 13 目前只有 20 奈米制程，并非先进的 1X / 1Y 奈米制程。至于在采用 EUV 技术来生产系统半导体的 LSI 代工部分，主要以 CMOS 产品为主，加上跳电时间短、不断电系统顺利衔接，虽然仍需停机检查，但应可迅速恢复。

另外，发生跳电的原因目前并不清楚。只是，以台湾的晶圆厂为例，在供电方面多半都设计有两套回路，分别由两个不同的变电所来供电，以降低因意外而发生跳电的风险。不过，如果发生大规模的天然灾害，例如地震而导致电厂停止运转的情况，这部分就另当别论。因此，这次南韩三星华城厂区在无发生重大天然灾害情况下，却发生跳电的情况，这个过程预计三星方面也将会好好地确认。最后，三星内部仍在做灾后评估，真正的损失金额经过预估将会由公司正式公布。

而虽然该次的跳电事件，相较 2019 年 6 月，日本记忆体大厂东芝在三重县四日市的厂区发生跳电，造成市场供货失衡的状况似乎要来得小，不过在记忆体市场产生涟漪效应似乎开始发生。2 日台股早盘，相关记忆体类股，包括记忆体制造的南亚科、旺宏、华邦电，记忆体模组的威刚、宇瞻、品安，以及记忆体主控晶片大厂群联等都以红盘开出，盘中更是开高走高，平均都有 2% 到 6% 不等的涨幅。