摆脱技术授权箝制 台厂迎向全数自主研发新里程碑

DRAM 厂南亚科日前宣布，已开发出 10 奈米级 DRAM 新型记忆胞技术，确立下世代制程将采用自主研发技术。随着南亚科摆脱国际大厂技术授权箝制，也标志着台湾地区记忆体厂全数走向自行开发记忆体技术的新里程碑，未来将可掌握技术开发步调，不再被庞大的授权金与专利费用拖累营运表现。

南亚科从成立至今，已转换过 15 个世代的制程技术，目前主力为 20 奈米制程技术，来自美光授权，初期为双方共同研发，再前一世代的 30 奈米、42 奈米，也都是与美光共同研发，以取得主流制程技术；再往更早期的世代推进，则曾与英飞凌、IBM 共同研发，上一个完全自主开发的制程技术为 99 奈米。

时隔多个制程世代，历经产业低谷与高峰，南亚科总算再度走回自主研发之路，开发出 10 奈米级 DRAM 新型记忆胞技术，第一代 10 奈米级前导产品预计下半年进入试产，第二代 10 奈米制程技术则已进入研发阶段，预计 2022 年前试产，确立下世代 10 奈米级 DRAM 将采用自主研发技术，不再走授权，摆脱动辄上百亿元的授权金与专利费用。

南亚科总经理李培锳表示，新制程技术为南亚科带来新的技术平台，并为未来更高密度的 LPDDR5、LPDDR6 提供向下发展机会，且由于是自主开发，可掌握技术开发步调，不用仰赖他厂授权，成本上也能有所改善，虽然每世代成本改善不是很大，但逐步累积还是有好处。

华邦电拥有工研院技转背景，并曾与东芝、富士通共同开发 0.13 微米 DRAM 制程技术，0.11 微米 DRAM 制程授权自英飞凌，而 80 奈米 DRAM 制程则来自英飞凌分割出来的奇梦达授权。

不过，在奇梦达倒闭后，华邦电体认到自主研发的重要性，不愿再依赖技术授权，开始走向自主研发，买下奇梦达的 46 奈米 DRAM 制程技术，成为其自主研发基础，而后并成功自主开发 38 奈米、25 奈米 DRAM 制程技术，下世代 20 奈米制程技术则预计今年底就绪。

除 DRAM 外，华邦电也拥有自主研发 NOR Flash 与 NAND Flash 的能力，目前 NAND Flash 制程以 46 奈米为主力，后续在制程微缩后，可望进入 32 奈米世代，而 NOR Flash 制程目前则以 46、58 奈米为主，也有部分仍采用 90 奈米制程。

旺宏 则是除 ROM 早期曾取得他厂技术授权外，在 NOR Flash 与 NAND Flash 上，一路走来均坚持自主研发技术，NOR Flash 由初期的 150 奈米、130 奈米、110 奈米，进而走向 75 奈米、55 奈米制程技术；NAND Flash 从 75 奈米、走到 36 奈米，去年更成功量产 19 奈米 SLC NAND Flash，持续追赶 NAND Flash 大厂的脚步。