传三星今年将用 EUV 微影设备，生产次世代 DRAM

为了简化晶圆制程和强化竞争力，外界预估三星电子今年将首度使用极紫外光（EUV）微影设备，生产次世代 DRAM。

韩媒 BusinessKorea 报导，业界观察家表示，今年或明年初，三星电子将使用 EUV 微影设备，生产 10 奈米 DRAM（1z）或 1a DRAM。去年 3 月，三星宣布研发出业界首见的 1z DRAM，当时三星表示预定 2019 下半年量产。

The Guru of 3D 解释，1x 制程可能是 19~17 奈米、1y 可能是 16~14 奈米、1z 可能是 13~10 奈米，之后为 1a、1b 等。

证券商研究员说，三星正在测试运用 EUV 微影设备生产 1y 和 1x DRAM，不过他们预期真正用到此类设备，可能是今年底生产 1a DRAM 时。

使用 EUV 微影设备可以大幅提高三星的生产力，进一步拉大和 SK 海力士与美光（Micron）的差距。目前 SK 海力士和美光尚未计划采用 EUV 微影设备生产 DRAM。

IC Insights 预测，2020 年 NAND flash 和 DRAM 将强势成长，销售增幅在 33 种主要 IC 产品中，将分居第一、三名。

IC Insights 新闻稿称，2020 年预测成长最快 IC 产品中，NAND flash 排第一，DRAM 排第三。2019 年 NAND flash 销售重挫 27%，估计 2020 年将强弹 19%。2019 年 DRAM 销售狂摔 37%，表现在所有 IC 产品垫底，预测 2020 年 DRAM 买气将提高 12%。