三星明年大规模量产 DDR5 内存 单条256GB
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-03-30
虽然之前有许多消息称今年 Intel 及 AMD 都会推出支援 DDR5 记忆体的平台,但是目前来看最快都要等到明年,因为 Samsung 最新宣布将在 2021 年量产 DDR5 记忆体,并将率先为 DRAM 记忆体颗粒生产引入 EUV 工艺,有望可为新的记忆体带来更快的速度及更高的性能。
在半导体制造之中,光刻机是不可或缺核心设备,最先进的极紫外光刻机更多用于复杂的逻辑晶片制造及处理器制造中,例如台积电去年 10月宣布已开始大规模生产基于 7nm+ EUV 光刻技术的晶片,AMD 即将推出的 Zen 3 处理器及 Intel 计划明年推出的 7nm 产品就会用上 EUV 技术。
EUV 技术是利用波长较短的紫外线将图案刻入矽中,与传统的多制版方法相比,EUV 技术具有精度高、减少重复步骤、提高制版精度等优点,将可以实现更好的性能和更少的缺陷晶片的产量,反过来就可降低了晶片制造商的成本,并缩短了开发时间。
日前,Samsung 就宣布成功将 EUV 极紫外光刻机应用到 DRAM 记忆体颗粒的制造当中,已经出货 100 万第一代 10nm EUV 级 (D1x) DDR4 DRAM 模组,并完成全球客户评估,为今后高阶 PC、手机、企业级伺服器等应用领域开启新大门。
在 2021 年,Samsung 更会大规模量产基于 D1a DDR5 和 LPDDR5 DRAM 记忆体,随着 DDR5、LPDDR5 市场明年的扩张,Samsung 将进一步加强与领先的 IT 客户和半导体供应商在优化标准规格方面的合作,加快在整个记忆体市场向 DDR5、LPDDR5 记忆体的过渡。
与 DDR4 记忆体相比,DDR5 记忆体一大优势就是更快,速度会从 DDR5-4800 起跳,然后 12-18 个月就会提升一次,很快就能达到 DDR5-5200、DDR5-5600 的速率。
不过速率提升只是 DDR5 规范中的一部分,更重要的实际上是 DDR5 记忆体的密度,16Gb 核心容量只是起步,很快会达到 24Gb,接着就是 32Gb,单条可以做到 256GB。
在设计上,DDR5 记忆体的针脚与 DDR4 记忆体的设计非常类似,底部都是带有曲度的长段不一的 288 个针脚,不过布局及引脚定义有所不同,因此无法通用。
不少 PC 用家都比较想知道电脑系统什么时候会支援 DDR5 记忆体,在 CES 2020 SK-Hynix 曾展示了带有 ECC 的 64GB DDR5 RDIMM 可纠错记忆体,时脉为 4800MHz,但这款 DDR5 记忆体并不是面向消费级市场的,首先支援的应该会是 Intel Xeon Sapphire Rapids 平台,可能会部署到超级电脑当中。
至于 AMD 的伺服器产品亦计划带来 7nm 工艺 Zen3 架构的 Milan 及 5nm 工艺 Zen4 架构的 Genoa,由于 AMD 给出关于 Zen4 架构 Genoa 的消息依然很少,究竟会仍旧支援 DDR4 还是 DDR5 仍未能获得确认。
当然会有玩家认为 DDR5 记忆体很快就会发布,现在购买 DDR4 记忆体已经不值得了,但事实可能并非如此,即使明年 DDR5 记忆体大规模量产,但要消费级平台能够支援仍要多等一段时间,DDR4 记忆体在未来一、两年仍会是主流,因此盲目地等待 DDR5 记忆体是不可取的。
那么,最终会是 Intel 平台还是 AMD 平台先“跑出”支援 DDR5 记忆体,答覆最快在 2021 年就会正式揭晓。