三星开始量产业界最快的旗舰级智慧型手机储存晶片

新型512GB eUFS 3.1不需缓冲 可极速储存8K影片和大尺寸影像档案

全球先进记忆体技术领导品牌三星电子，宣布开始量产业界首款用于旗舰级智慧手机512 GB 嵌入式通用快闪记忆体（embedded Universal Flash Storage）eUFS3.1，其写入速度较上一代512GB eUFS 3.0行动储存晶片快三倍，突破智慧型手机储存晶片1GB/s的性能极限。

 三星电子记忆体业务暨行销执行副总裁Cheol Choi 表示：“随着三星推出最快速的行动记忆体，智慧型手机使用者将可摆脱传统记忆卡的容量瓶颈。今年全球智慧型手机产业，对高速储存的需求快速成长，全新eUFS 3.1的问世，展现三星致力支援产业需求的承诺。”

三星512GB eUFS 3.1的循序写入速度超过1,200MB/s，较SATA桌上型电脑 （540MB/s）快两倍以上，更较UHS-I microSD卡（90MB/s）快十倍以上。这表示当消费者将大量的档案，例如8K影片或数百张的大尺寸照片，存入智慧型手机时，能享受媲美超薄笔电的储存速度而不需缓冲。此外，将旧手机内容传输至新装置时，传输时间亦大幅缩减。搭载最新eUFS 3.1的手机，只需1.5分钟，即可移动100GB的数据；而搭载UFS 3.0的手机，则至少需要4分钟以上。

在随机读取方面，512GB eUFS 3.1的处理速度，较目前广泛使用的UFS 3.0版本提升60％，每秒读取速度最高可达100,000 IOPS，写入速度则可达到70,000 IOPS。

除了512GB容量，三星亦将为旗舰级智慧型手机推出256GB和128GB容量版本。

自3月开始，三星已投入第五代V-NAND的量产，以充份满足旗舰级和高阶智慧型手机市场的记忆体需求。三星计划在不久的未来，将韩国平泽生产线的第五代V-NAND量产迁移至第六代，为日益成长的需求带来更佳的解决方案。

三星嵌入式储存记忆体阵容

记忆体 循序读取速度 循序写入速度 随机读取速度 随机写入速度

 
512GB eUFS 3.1 2100MB/s 1200MB/s 100,000 IOPS 70,000 IOPS
（2020年3月） （提升3倍） （提升1.6倍） （提升1.03倍）
512GB eUFS 3.0 2100MB/s 410MB/s 63,000 IOPS 68,000 IOPS
（2019年2月）
1TB eUFS 2.1  1000MB/s 260MB/s 58,000 IOPS 50,000 IOPS
（2019年1月）
512GB eUFS 2.1  860MB/s 255MB/s 42,000 IOPS 40,000 IOPS
（2017年11月）
Automotive UFS 2.1 850MB/s 150MB/s 45,000 IOPS 32,000 IOPS
（2017年9月）
256GB UFS Card 530MB/s 170MB/s 40,000 IOPS 35,000 IOPS
（2016年7月）
256GB eUFS 2.0 850MB/s 260MB/s 45,000 IOPS 40,000 IOPS
（2016年2月）
128GB eUFS 2.0 350MB/s 150MB/s 19,000 IOPS 14,000 IOPS
（2015年1月）
eMMC 5.1 250MB/s 125MB/s 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250MB/s  90MB/s  7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 140MB/s  50MB/s  7,000 IOPS  2,000 IOPS 

标注512GB eUFS 3.1, 5th Generation V-NAND, embedded Universal Flash Storage, eUFS, eUFS 3.1, Fifth-generation V-NAND, Sixth-generation V-NAND