存储器制程迈大步　NAND Flash进入128层新时代

新冠疫情在全球延烧，存储器大厂积极提升技术的动作则丝毫未停歇，除了下一世代DDR5的前期布局之外，在NAND Flash领域往更高层数发展，冲刺更极致的3D NAND Flash技术，今年4大供应商包括三星电子、SK海力士、美光、铠侠都将正式进入128层的战场。

技术升级一向是存储器大厂之间竞争的主要策略，随着储存市场有增无减下，处于新旧转换的节点，更是纷纷加大新技术的推进力道，3D NAND Flash在突破良率之后，一路往上挺进快速来到了96层，同时推进下一代128层，希望在新一轮市场竞争中占据有利位置。
 
市场需求的爆发，成为推动存储器大厂往128层数迈进的最大动能，随着5G及物联网技术的发展，加上这次疫情的推波助澜之下，资料正呈现出爆炸式的增长，由此对于存储的需求也越来越大。3D NAND Flash，简单来说，就是通过晶粒堆叠技术，加大单位面积内电晶体数量的增长。
 
进入3D NAND Flash进入128层之后，堆叠层数走向极大化，除了显示储存空间更大，不论是制程以及后段封测的难度也更上一层楼，目前台湾地区在存储器封测领域首推力成科技，尤其在堆叠层数的封装技术上远远领先同业，同时坐拥美光、凯铗两大存储器厂的订单，成为3D NAND Flash技术升级的受惠者之一。
 
观察各家存储器厂商的进度，SK海力士128层NAND Flash将在今年进入投产阶段，同时正在开发下一代176层产品，将通过技术优势，持续增强其在NAND Flash市场上的竞争力。铠侠方面，虽然最早提出3D NAND Flash架构，但先前迟迟未推出相关产品上市，导致其市场步伐落后一线大厂三星。

铠侠宣布已研发出3D NAND Flash“BiCS FLASH”的第5代产品，采用堆叠112层制程技术，今年第1季进行样品出货，除将用来抢攻需求持续扩大的资料中心用SSD、商用SSD、PC 用SSD 及智慧手机等市场外，也将用来抢攻5G、人工智慧（AI）、自动驾驶等新市场需求。

铠侠指出，该款112 层3D NAND 产品与合作伙伴美国Western Digital（WD）所携手研发完成，今后将利用双方共同营运的日本四日市工厂以及北上工厂进行生产。

美光在与英特尔分道扬镳之后，在3D NAND Flash技术急起直追，直逼三星水准。美光128层为第4代3D NAND Flash技术，也于今年加入营运行列。

另外，中国大陆存储器厂长江存储在3D NAND Flash布局推出了其独特的Xtacking技术，不过目前长江存储的技术还停留在64层，并预计今年进入大规模量产，未来长江存储将跳扩96层，直接投入128层快闪存储器的研发和量产工作。
 
台湾厂商则以旺宏的布局动作最积极，旺宏董事长吴敏求去年底在30周年庆的时候，初期不会与一线大厂正面冲突，会避开主流、高容量市场，今年下半年将先推出48层3D NAND Flash产品，2021年再往96层技术迈进。
 
从一线存储器大厂的技术布局进度来看，128层3D NAND Flash将在今年大量进入企业储存市场，逐渐成为主流，新一轮技术升级之争亦将变得更加激烈。