长江存储128层产品亮相　明年NAND Flash市场竞争加剧

据台媒报道，记忆体大厂不受疫情冲击，制程升级脚步不停歇。据研究机构调查，中国NAND Flash厂商长江存储已于第1季将128层3D NAND Flash样品送交存储控制器厂商，目标第3季进入投片、年底前量产，拟用于UFS、SSD等各类终端产品，并同时出货给模组厂，预估明年长江存储的产能市占率可达8%

考量客户导入时程，预估长江存储新产品可能率先影响第4季Wafer市场合约价，并自2021年起对Client SSD、eMMC/UFS等市场供给产生实质贡献，在供给增加的情况下，价格下跌的可能性也将提高。
 
受到疫情影响，智慧型手机及笔记型电脑等终端需求将受到不小冲击，并对NAND Flash主流供应商获利能力造成影响，抑制未来持续扩产的幅度。
 
相较之下，长江存储目前在各类应用的市占规模仍小，因此受疫情影响较低。当前目标将着重于与OEM进行64层TLC的相关产品导入及提升良率，并赶在今年内送交128层产品样品，将同时包含TLC以及QLC产品，以扩大客户基础。
 
随着3D NAND Flash堆叠达到90层以上，主要供应商在更高层数蚀刻及堆叠技术的发展难度逐渐增加。
 
观察各供应商的技术路线图，在1XX层的产品世代已有分歧：尽管三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)已推出128层产品，但铠侠/威腾(Kioxia/WD)、美光(Micron)、英特尔(Intel)的112/128/144层产品要到下半年才会放量，相比前几代3D NAND产品的发展进程来得更久，有利于长江存储的128层产品迎头赶上。
 
除此之外，去年NAND Flash的价格平均跌幅达46%，导致主要供应商陷入亏损，资本支出因而转为保守，产出增长规划亦创下历史新低，这也让长江存储有了拉近差距的机会。
 
长江存储目前拥有武汉厂，今年目标是成都厂开始投产，并逐步完成武汉厂区剩余2座厂房的兴建与扩产。除了扩张规划积极，长江存储也是中国大基金的重点扶持厂商，可以预期NAND Flash市场竞争将更为严峻，长期价格面临持续走跌的压力。