台湾存储器产业的下一步？

晋华案爆发后，联电据称已停止一切记忆体开发工作，而晋华公司也陷入困境。

台湾地区过去曾在记忆体产业投下超过兆元资金，最终却铩羽而归，主要还是归因于缺乏对上游专利与技术的掌握，只想做代工生意之故，现有业者也多是只针对嵌入式应用等利基型市场，没有提供标准型产品。

当美中科技战再起、大陆正在崛起的半导体，台湾业者该如何面对？根据统计，南亚科在全球DRAM市占约为3%，其核心专利主要从美光取得，每年亦需要支付大笔权利金，在考虑到自行研发仍比向美光授权更便宜的情况下，南亚科转而选择自行研发1A、1B、1C 3个世代的制程，今年调高资本支出，目的就是要设置10奈米制程试产线，预计1A世代将于今年下半年试产，也透过自研摆脱美光的技术限制。

另一家宣称拥自主开发技术的联电，曾经企图大展身手，但在福建晋华案爆发后，已停止一切记忆体开发工作。根据美国法院公布的资料，美国政府和联电有两个诉讼，其中一个和晋华有关的案件，去年底不再有任何进度，但另一个侵害营业秘密的案子，仍在紧锣密鼓进行。

市场人士观察，美国企业常以侵权诉讼作为商业竞争的手段之一，但晋华案在日趋紧绷的美中关系下更显敏感，联电就算真的拥有DRAM自主开发能力，深陷官司泥淖也可能沦为政治角力工具，恐对台湾DRAM产业带来负面影响。

而在利基型产品方面，旺宏去年底通过87亿元的资本支出，扩充3D NAND的产线，年底将量产48层产品。华邦电去年也加大投资中科厂，导入20奈米新制程，原本计划在高雄设立的新厂，则将装机日期推迟至2020年。至于力积电，目前同时制造DRAM和NAND FLASH，以代工业务为主。