2030年三星取代台积不是喊假的！

台积电5月中宣布，拟砸120亿美元（约3600亿元台币）赴美设厂后，首要对手三星电子动作频频，于一周内接连宣布，在南韩国内新建5奈米制程的新晶圆厂；大当家李在镕更亲赴陕西首府西安，视察三星在海外的唯一半导体工厂，而且在回国后不久宣布，加派300人至中国，加速扩建西安厂。

 国内产业专家观察，三星电子不仅要巩固在全球记忆体的霸主地位，更重要的是，拉近与业界一哥台积电的距离，以实现“半导体愿景2030”，也就是达成在2030年取代台积电、成为全球晶圆代工霸主的目标。

就在5月15日台积电丢出震撼全球科技界的大消息后，17日三星电子副董事长李在镕搭机赴中国，视察正在进行第二期工程的西安厂。

若不计在美国德州奥斯汀的S2晶圆厂，西安厂是目前三星唯一在海外的半导体工厂，主要生产快闪记忆体，且李在镕去年2月才视察该厂。

尽管COVID-19肆虐，三星西安厂的第五代快闪记忆体产线仍在今年3月投产。三星4月才派遣200人进驻，以加速提升产能，且李在镕回国后不到一周，三星就在5月22日宣布加派300位工程师及承包商赴西安，要加速进行西安厂耗资80亿美元（约2400亿元台币）的扩建计划。

与台积电相关度较高的是，三星电子在5月21日宣布，位于首尔近郊京畿道平泽市的全新12吋晶圆厂已经动工，预计2021下半年投产，将是运用EUV（极紫外光）设备的5奈米制程产线，外界估计投资额为10兆韩元（约2600亿元台币）。

三星电子晶圆事业总经理郑恩升（Jung Eun-seung）在声明中说：“新产线将扩大三星在5奈米以下的制造能力，得以快速因应客户对SUV制程逐渐上升的需求。”

对此台湾经济研究院研究员暨产业顾问刘佩真表示，三星在记忆晶片及晶圆代工的布局要分开来观察。

首先，中国大陆本身也扶持记忆晶片业者，例如长江存储4月已宣布研发成功128层的3D NAND快闪记忆体，而三星自然希望巩固自己的龙头地位。

据产业研究机构统计，三星仍稳坐全球NAND Flash记忆体出货的市占率冠军，但今年第一季降至33.3%，低于去年第四季的35.5%。

其次，三星宣布新建5奈米制程产线，不无针对台积电的意味，因为台积电的5奈米制程已于上半年投产，预期下半年进入量产，外界预估今年可望贡献10%营收。

若照三星说法，平泽厂的5奈米产线预定2021下半年投产，就表示三星在5奈米投产的进度较台积电落后一年多。

今年2月三星宣布，华城厂的7奈米产线开始量产，且同样在该厂的5奈米产线预计今年下半年投产，惟目前进度仍须观察。

据产业研究机构调查，若以营收估算，今年第二季台积电以市占率51.5%稳居全球晶圆代工霸主，远高于第二名、南韩三星的18.8%。

不仅如此，台积电第二季营收估计将较去年同期跃升30%，高于三星电子的15%增幅，意味三星要追赶台积电仍有不小距离。

去年4月三星电子提出“半导体愿景2030”，预计未来12年总共投资133兆韩元（近3.7兆元台币），宣示要在2030年成为非记忆晶片类半导体产品的全球第一名，等于不点名挑战台积电的全球晶圆代工龙头地位。

另外，刘佩真也提到，在晶圆代工业本身的竞争外，三星与台积电也无法自外于美中科技战。对于不属于美国或中国的半导体大厂来说，现阶段看待与华为的关系可能是以拖待变，先观察情势变化，再决定如何调整策略。