华邦为高通设计的快闪记忆体亮相 中科12吋厂扩产接单
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-06-16
记忆体大厂华邦电子(2344)今(16)日宣布推出拥有新功能的 QspiNAND Flash快闪记忆体,是专为高通( Qualcomm) 9205 LTE 数据机而设计的。为满足全球对大容量解决方案持续成长的需求,华邦表示,新产品将在台湾台中的 12 吋晶圆厂进行制造。华邦目前正在扩展产能,以因应及确保支援汽车与 IoT 产业因全新业务带来的预期成长。
华邦推出业界首创的 1.8V 512Mb (64MB) QspiNAND Flash,为新型行动网路 NB-IoT 模组的设计人员提供正确的储存容量。
WebFeet Research 总裁 Alan Niebel 表示,到了2020年,物联网的规模将成长到500亿个连网装置,未来几年 Quad SPI-NAND 的采用率可能会增加4到5倍,华邦的 1.8V QspiNAND Flash 相当适合汽车及 IoT 产业使用。NB-IoT 已经蓄势待发,在全新的连网世界中茁壮成长,2023年之前出货量可望达到全球 6亿8,500万个装置。
华邦电子美国分公司快闪记忆体事业群行销部门总监 Syed S. Hussain 表示,华邦很荣幸能全心投入创新及产品差异化,设计出 QspiNAND Flash KGD 解决方案,并获得 Qualcomm Technologies 采用在 Qualcomm 9205 LTE 主控芯片中。公司将持续与 Qualcomm Technologies 密切合作开发记忆体元件,打造适合 IoT 应用的次世代 LTE 数据机解决方案。
华邦立足于传统 QSPI-NOR Flash,并进军 QSPI-NAND Flash 领域,客户可根据自身需求,自由选择编码储存元件,以最低成本扩充规模。使用相同的 6 针脚讯号及 QSPI 指令集提供 SLC NAND Flash 的大容量,并采用 104MHz 读取速度的全新的 Continuous Read 功能,效能毫不减损。
Qualcomm Europe产品管理副总裁 Vieri Vanghi 表示,Qualcomm Technologies 已对华邦的 QspiNAND Flash 进行各种测试及验证,目前以堆叠 KGD 解决方案形式运用于 Qualcomm 9205 LTE 数据机,让 OEM 客户能打造出外型极为精巧的系统。
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