三星100+层闪存技术面临挑战，生产效率OR成本该如何抉择？

外媒报道，据业内人士表示，三星在扩大第六代V-NAND（128层3D NAND）产量时可能面临挑战。因为，三星128层工艺使用的是单堆栈技术，将导致蚀刻穿过128层的时间将是穿过96层的两倍，严重影响生产效率。

若三星128层产量受到影响将直接导致成本上升。反观其他原厂则是通过效率更高的字符串堆栈技术。
消息人士称，三星正在考虑将第七代V-NAND改为字符串堆栈技术。当然字符串堆栈技术也有缺点，就是成本要比单堆栈技术高30%。
目前三星还没有确定解决方案，并已经专门成立了专项小组，致力于增强第六代V-NAND 3D闪存芯片的量产竞争力，保持其技术领先性。