PLC NAND Flash 做的 SSD 你敢用 ?

PLC NAND Flash 做的 SSD 你敢用 ?
1xnm PLC 颗粒最差只有 35次 P/E 寿命
 
SSD 厂商已预告未来将会由 TLC 转向 QLC 颗粒，令容量进一步增大、成本降低，但代价就是写入寿命越来越低，未来甚至再进一步跳进 PLC 颗粒，但 DRAMeXchange 最新调查报告指出，PLC NAND Flash 最低 P/E 寿命最短只有 35 次，真的能很做 SSD 吗 ?

首次我们要先知道一些 NAND Flash 基本特性，随着 MLC、TLC、QLC 及 PLC 技术升级，由于需要更复杂的电压层级控制，令 P/E 寿命因而降低了，另外制程工艺升级亦会令P/E寿命下降。

究竟下降有多严重呢 ? 从 DRAMeXchange 报告指出， SLC 采用老旧的 5xnm 制程 P/E 寿命可达 11,000，但转用先进的 1xnm 制程，P/E 寿命会下降至只有约 5,000 次，和 3xnm的 MLC 的 P/E 寿命相约。

现在 TLC SSD 已经成为了主流，大约可以看到它在 1xnm 制程下只余下 500次，如果转入 QLC 的话会跌至 70 次，PLC 就更惨大约只有 35次，理论上就是全写满 35次就要升天了。

以上数据均为 2D NAND Flash 下的表现，换上 3D NAND Flash 更多层堆叠再加上较老旧的制程，寿命可能会好一点，但 PLC 如果技术没改进，SSD 真的能用吗。