DDR5标准正式发表　记忆体大厂超前布署升级商机 4800Mhz起跳

负责制定DRAM产业标准的JEDEC，在台北时间15日清晨正式发表DDR5标准，与现有的DDR4相比，DDR5最大的特点在于DRAM晶粒将内建纠错编码(ECC)逻辑电路，同时DIMM模组上也将全面搭载电源管理晶片(PMIC)，操作电压也会从1.2V降低到1.1V。为了抢食DRAM产业暌违多年的升级商机，DRAM大厂无不竞相展开准备动作，预期到2021年下半，就有机会看到DDR5记忆体在伺服器产品上现身。

JEDEC JC-42记忆体委员会主席Desi Rhoden表示，DDR5标准纳入了许多新的技术，以提高DRAM的效能、可靠度，并且将省电模式纳入标准中。藉由导入DDR5记忆体，伺服器与个人电脑等大量使用DRAM的应用产品，都可望在性能、能源效率等方面有更上一层楼的表现。

与DDR4等现有的DRAM标准相比，DDR5最大的几个特性包含在记忆体晶粒内部直接内建ECC逻辑电路、模组上全面搭载PMIC、DRAM工作电压由1.2V进一步降低到1.1V、改用MIPI联盟I3C基本规格做为系统管理汇流排。藉由这些新技术，DDR5记忆体所使用的半导体制程，会比DDR4有更大的微缩空间，带来储存容量提高的效益，并且在I/O性能上比DDR4提高至少50%。DDR4的频宽目前已经达到3.2Gbps的理论最大值，但第一代DDR5记忆体的频宽将从4.8Gbps起跳。

参与DDR5标准制定的记忆体业者预期，新标准的导入期约需要12~18个月，但因为许多记忆体大厂都已经在标准正式公告前，就提供DDR5的工程样品给客户参考，等于相关产品的研发工作已经超前布署，故最快在2021年下半，就有机会看到伺服器开始搭载DDR5记忆体。

举例来说，美光(Micron)科技日前已发表技术应用支援计划(Technology Enablement Program, TEP)，该计划将提供技术资源、优先取得产品，以及和生态系统伙伴的接洽机会；并协助设计、开发和认证搭载最新DRAM技术DDR5的次世代运算平台。

 
今年1月美光宣布DDR5 RDIMM送样后，便以此为基础推出DDR5技术应用支援计划，将促使业界朝向发挥次世代、以资料为中心等应用价值的目标向前迈进。益华电脑(Cadence)、澜起科技(Montage)、Rambus、瑞萨电子(Renesas)和新思科技(Synopsys)，均为DDR5技术应用支援计划成员。

DDR5改善DRAM的效能、容量和可靠性，协助现代资料中心为持续快速成长的处理器核心数，提供记忆体频宽，也有助于满足顾客对资料中心的可靠性、可用性和可支援性方面不断上升的需求。与前代DDR4相比，DDR5将提供两倍以上的有效频宽，减轻每个核心频宽的密集运算，在各种应用上实现高效能，并改善功耗管理。

通路合作伙伴在新技术的开发和采用方面也扮演着非常重要的角色。在DDR5技术应用支援计划中，美光将与经销商、附加价值销售商和OEM/ODM等伙伴合作，由合作伙伴负责将搭载 DDR5 的创新产品推进市场。

符合资格的合作伙伴可藉由参与此计划充分利用与美光的国际合作、品质和支援，更可获得其他优势，包含：