台媒：大陆进军半导体材料碳化矽（SiC）及氮化镓（GaN）

中国大陆全力发展半导体技术，传出将进军新一代化合物半导体材料碳化矽（SiC）及氮化镓（GaN），不过由于该款产品技术难度高，又需要先进半导体设备支援，以目前美中关系紧张局势，中国在先进半导体设备取得恐怕有极大困难，加上合肥长鑫、长江存储及武汉弘芯案例，恐怕又是另一个雷声大、雨点小的案例。
大陆传出将倾力将SiC、GaN等新一代化合物半导体材料技术研发纳入“十四五规划”，藉此卡位先进半导体市场，摆脱对美国的技术依赖。
据了解，SiC、GaN技术难度相当高，现在仅英飞凌、意法半导体等国际IDM大厂成功导入量产，中国台湾地区半导体厂当中，也只有晶圆代工龙头台积电小量提供6吋GaN on Si（矽基氮化镓）、GaN on SiC（碳化矽基氮化镓）等代工服务，另外汉磊虽然早在前几年就跨入市场，但仍难以达到获利水准。
除了半导体设备之外，良率更是关键因素。供应链指出，由于SiC、GaN技术难度相当高，在初期产出参数调整上需要耗费极大功夫，甚至良率需要高达九成以上才可能达到获利水准。
在中国大陆喊出将跨入SiC、GaN市场后，首先将面临到设备取得问题，在两个大国经贸关系紧张状态之下，先进半导体设备取得是难上加难，另外中国目前并无SiC、GaN技术，因此前期技术研发恐怕将又将耗费一大段时间。
此外，曾喊出成功量产DDR4 DRAM的合肥长鑫、长江存储3D NAND Flash，目前在OEM／ODM供应链里，几乎没有见到这两大厂产出的晶片踪迹，仅在白牌市场上有一席之地。最后，是宣布进军7奈米技术、但却先爆出财务危机的武汉弘芯，恐将面临倒闭风险，大陆宣布进军SiC、GaN市场，怕又是另一个雷声大、雨点小的案例。