DDR5导入潮即将到来　瑞萨抢推新一代资料缓冲器

标准组织JEDEC正式发表DDR5记忆体标准后，记忆体厂、处理器厂与众多伺服器OEM厂商，都已经展开DDR5记忆体的升级/导入计划，预计最快在2020年底到2021年初，就会有搭载DDR5记忆体的伺服器产品问世。由于导入DDR5已经成为大势所趋，瑞萨(Renesas)近日发表了一款专为DDR5设计的资料缓冲器，可进一步提高CPU与记忆体模组之间的通讯频宽。与DDR4 3200相比，采用DDR5资料缓冲器的DDR5频宽，可再提高35%。

近年来即时分析、机器学习、HPC、AI，还有其他渴求记忆体和频宽的应用产品持续发展，推动伺服器记忆体频宽需求的爆炸性成长。瑞萨推出符合JEDEC标准的全新DDR5资料缓冲器5DB0148，为双直插低负载DIMM(LRDIMM)提供显著的高速和低延迟，LRDIMM已成为这类新型应用产品的记忆体技术基础。以瑞萨元件为基础的第一代DDR5 LRDIMM，比起以3200 MT/s运行的DDR4 LRDIMM，频宽可再增加35％以上。

DDR5导入潮即将到来，瑞萨发表专为DDR5记忆体模组设计的资料缓冲器晶片
 
瑞萨资料中心事业部副总裁Rami Sethi表示，身为业界的完整DDR5解决方案供应商，瑞萨正在与客户和生态系统合作伙伴紧密合作，将大幅扩展的记忆体解决方案产品阵容投入量产。DDR5资料缓冲器对实现高性能DRAM解决方案极为关键，诸如LRDIMM、其他类型的高密度模组，以及多样化记忆体解决方案，这些方案可使新世代高性能运算应用产品更加多样化。

瑞萨DDR5资料缓冲器藉着减少电容性负载、资料对齐和讯号恢复技术的结合，可以让重载通道的系统眼图最大化。这就让具有大量记忆体通道和插槽，以及复杂路由拓朴的伺服器主机板，也可以用最高速度运行，即使在装满高密度记忆体的情况下也是一样。此外，DDR5模组定义的改进，允许用更低的电源电压(1.1V，相对于DDR4的1.2V)、DIMM内建稳压，以及先进控制平面架构的实现(其运用SPD集线器和现代控制汇流排通讯，例如I3C)。

瑞萨是业界自双直插式记忆体模组问世以来，最资深的记忆体介面产品供应商，有开发完整晶片组解决方案的经验。全新的瑞萨DDR5资料缓冲器5DB0148为最佳化完整解决方案家族的一分子，可与LRDIMM记忆体模组上的其他瑞萨DDR5元件无缝搭配，这些元件包括电源管理IC P8900、暂存器式时脉驱动器5RCD0148、SPD集线器SPD5118，以及温度感测器TS5111。可确保采用瑞萨晶片组解决方案的记忆体供应商，拥有完整的互通性和稳定的品质。