中国快速转向,量子、第三代半导体踩油门

在两强纷争之下,作为未来最具有(人口红利)潜力的印度,近期也因中印关系的变化,在产业界未来地位再度受到了重视.SEMICON Taiwan 2020展前记者会中,日月光投控集团营运长吴田玉,钰创董事长卢超群不约而同纷纷提及印度的未来影响力. 台积电创办人张忠谋日前已提到(疫情将彻底改变人类生活方式).吴田玉这次更直言,(这是过去60年半导体产业以来,从没经历过的,我以往未超过3周都待在台湾,这次一待就是8个月.)  

中国快速转向,量子,第三代半导体踩油门

中国十四五规划中确立未来5年将倾全力重押第三代半导体产业链,同时将更高阶的量子电脑确立为国家发展战略,10年时间可望全面反制,不再受制于人. 半导体业者指出,大陆已相当清楚现阶段第二代半导体居下风的现状，因此几直奔下世代5年,10年战局.  

第三代半导体性能优势明显应用三大领域
　　与第一、二代半导体相比，第三代半导体耐高压、耐高温，热导率高、抗腐蚀、稳定性更好，这些性能优势是由氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)两种材料自身的特性决定的。具体来看，碳化硅更适用于高电压、大电流、高功率的场合，氮化镓则更适用于中低压、中功率和需要快速响应的场合。
　　基于性能特点，第三代半导体可以应用在三大领域，分别是光电子器件，如半导体照明、激光器等；射频电子器件，如5G通信基站、雷达等；功率电子器件，如新能源汽车、快充、光伏、风电、特高压电网等。

中国能否在第三代半导体上“弯道超车”？

　　第三代半导体产业链主要分为衬底、外延、器件(设计、封装)、模块、应用系统等环节。目前中国在全产业链上都有布局，但在上游衬底材料、装备和器件工艺方面，与国外还有一定差距，比如在碳化硅衬底材料环节就有五年的差距周期，而在外延材料、设计、封装以及系统应用方面，国内外差距已经很小。