威刚陈立白：DRAM价格在明年第一季应会持平或小跌3～5％

记忆体模组厂威刚董事长陈立白8日表示，9月以来需求已见回温，DRAM及NAND Flash现货价反弹约10％，预期第四季后现货价续强，合约价跌幅收敛且较市场预期小，威刚第四季营运可说是业内及业外皆美。至于明年是5G基地台大量布建的一年，记忆体用量会超乎想像，在供给端扩产有限情况下，看好明年上半年DRAM及NAND Flash价格止跌回稳，下半年将供不应求。

远距商机带动笔电强劲出货动能，5G智慧型手机又进入晶片备货旺季，带动DRAM及NAND Flash现货价上涨。陈立白表示，近期威刚都在加班赶工，现货市场需求强劲，第四季出货量会比上季高。以价格走势来看，先前虽是华为因禁令问题急于补货，但这波DRAM反弹仍带动市场抢货，一线原厂DRAM现货价涨了10％，二线厂涨15～20％，NAND Flash现货价涨幅略高于DRAM，预期10月底前现货价维持强势，威刚10月仍继续加班。
市场预期第四季DRAM及NAND Flash合约价较上季下跌约10％，但陈立白表示第四季合约价跌幅会收敛且比市场预期小，预估DRAM合约价季跌约6％，8GB DDR4模组价格最多跌到25美元，至于NAND Flash合约价预估季跌12～16％之间，固态硬碟（SSD）价格约下跌15％左右。对威刚来说，现货价持稳但合约价下跌，价差扩大有助获利表现，威刚第四季业内及业外都会不错。
对于明年展望，陈立白表示，明年才是5G基地台全面布建的一年，对记忆体的需求量超乎想像很多，所以看好明年DRAM及NAND Flash市况好转。总体来看，明年记忆体市场有五大需求，包括人工智慧、物联网、5G终端装置及基地台、电竞应用、车用电子等，但由供给面来看，各大厂资本支出减少，位元供给量成长十分有限。
陈立白预估，明年上半年DRAM及NAND Flash价格将止跌，其中，DRAM价格在明年第一季应会持平或小跌3～5％，第二季后止跌回升，而NAND Flash第一季虽续跌，但第二季会回稳。明年下半年DRAM及NAND Flash都会供不应求，价格可望反弹。