​传三星2021年拟砸 10 兆韩元，扩产记忆体、晶圆代工

三星电子预料明年景气将复苏，据传要增加 DRAM、NAND Flash、晶圆代工产能，准备藉此冲刺市占，扩大和竞争对手的差距。
韩国时报报导，美系资产组合经理人 23 日表示：“（增产理由是）明年全年 DRAM、NAND 将严重短缺，带动价格和获利复苏。”他说，三星正与零件供应商讨论，准备下单。据了解三星 DRAM 的每月晶圆产能将增加 3 万片、NAND 增加 6 万片、晶圆代工增加 2 万片。
增加产能主要在三星南韩平泽（Pyeongtaek）工厂。三星第 3 季财报会议表示，记忆体晶片库存回到合理水位，接到更多高利润的伺服器订单，预料市况将出现“有意义的逆转”（meaningful turnaround）。NH Investment 分析师 Do Hyun-woo 说：“三星会积极生产 NAND 记忆体，不过将对 DRAM 维持保守态度。由于晶圆代工晶片将短缺，明年三星至少会对平泽厂和美国德州奥斯汀厂投资 10 兆韩圜。”
资产组合经理人透露：“一般认为三星不会大幅增加记忆体的晶圆产能，以免重蹈 2018 年覆辙，这次的上行循环，（三星）增产做法将更理性。三星调整策略，可能是要趁数位变化、供给收紧时，抢下更大市占。”

半导体景气复苏，大厂纷纷加码投资。外电报导，三星明年将加码10兆韩元（约新台币2,567亿元）用于扩大半导体制造能量，锁定提升DRAM、NAND晶片与晶圆代工产能。市场解读，三星布局，意在与SK海力士、美光、台积电（2330）等同业的竞争。 
依南韩媒体与三星消息，三星相关投资主要在平泽工厂，扩产后，三星DRAM月产能将增加3万片、NAND增加6万片、晶圆代工增加2万片。面对三星在晶圆代工领域紧追，台积电一向不评论竞争对手的动态。三星近期扩大采购极紫外光（EUV）设备，更规划在南韩华城、平泽以及美国德州奥斯丁等城市建立EUV产线，做7奈米与5奈米以下晶片生产基地。
韩联社报导，三星集团今年前九月资本支出创下历史新高，主因研发费用大增、在南韩雇用员工人数创新高（约10.8万余人）。 
三星在今年10月推出首款采用自家5奈米技术量产的系统晶片，2021年看好全球需求复苏，将对多个领域展开投资；高速运算应用多元化、客户采用先进制程也带动三星晶圆代工成长。 
三星资本支出集中半导体领域，全年资本支出估约35.2兆韩元，创新高，其中，半导体资本支出也创新高、达28.9兆韩元。今年1到9月半导体相关资本支出已达21.3兆韩元。 
外媒报导，明年半导体资本支出不低于今年，还将额外加码扩大半导体产能。