领先同业 2 年? 三星拟继续扩展 EUV 光刻生产的规模

继早两天 SK Hynix 宣布在 M14 和建设中的 M16 工厂中引入 EUV 光刻机后，三星也要来跟上了。按照三星的说法，由 2014 年以来，采用 EUV 光刻的晶圆超过了400 万片，公司已积累了丰富的经验，亦比其它厂商掌握更多生产诀窍，领先对手约 1 到 2 年的差距。
消息指三星的 1z nm DRAM 第三代记忆体已用上了一层 EUV，而第四代 1a nm 将会增加至 4 层。EUV 光刻机的参与可减少多重曝光的工艺，提升工艺的精度，从而减少生产时间、降低成本，并提高效能。
即使 SK Hynix、Micron 等亦在尝试 EUV 生产，但层数过少对效率提升并不明显，也即是单位成本高，毕竟购入一台 EUV 光刻机成本要 10 亿元。三星在这方面却有不少优势，毕竟还有自家晶圆厂，且光刻机在不少地方也可用得上，利用率很高。