SK海力士成功研发176层NAND快闪存储器

 　　据韩联社报导，SK海力士7日表示，近期成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb（千兆位）NAND快闪记忆体。
　　SK海力士去年6月在世界上首次成功批量生产128层4D NAND快闪记忆体。此次仅次于美国存储半导体企业美光科技，美光11月宣布已批量出货176层NAND快闪记忆体。
　　据SK海力士介绍，第三代4D NAND快闪记忆体达到业界最高水平，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，增强了产品成本竞争力。另外，新产品的读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6Gb，提高了33%。
　　SK海力士于上月向控制器企业提供了NAND样品，计划明年6月左右批量生产，并依次推出消费者级SSD、企业级SSD等产品，扩大各应用领域的市场。
紧追美光之后，SK 海力士宣布推 176 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆体
根据南韩媒体 《ETnews》 的报导，紧追的美商记忆体厂美光科技 (Micron) 之后，南韩记忆体厂 SK 海力士也在 7 日正式发表 176 层堆叠的 512 Gb TLC 4D NAND Flash 快闪记忆体，也代表着 176 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆体时代来临。
报导指出，SK 海力士说明新的 176 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆体是采用加速技术，使得数据传输速度提高了 33%，达到 1.6 Gbps。而预计到 2021 年年中，SK 海力士将推出最大读取速度提高 70%、最大写入速度提高 35% 的行动解决方案产品，并计划推出针对消市场和企业市场的 SSD 产品，进而扩大相关产品的应用市场。
由于在不久前的 11 月初，美商美光科技已经宣布开始大量出货全球首款 176 层堆叠的 3D NAND Flash 快闪记忆体。所以，面对竞争对手的来势汹汹，报导强调 SK 海力士还计划开发以 176 层堆叠 4D NAND Flash 的 1Tb 密度的快闪记忆体，进一步持续强化其在 NAND Flash 快闪记忆体的业务竞争力。
美光的 176 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆体产品采用美光第 5 代 3D NAND NAND Flash 快闪记忆体技术，以及第 2 代替换栅极架构。因此，相较美光的上一代大容量 3D NAND Flash 快闪记忆体产品，新的 176 层堆叠的 NAND Flash 快闪记忆体将数据读取和写入延迟的时间都缩短了 35% 以上。另外，美光的 176 层堆叠的 NAND Flash 快闪记忆体采用紧凑型设计，裸片尺寸比市场最接近同类产品缩小近 30%。而该产品也已经在美光新加坡晶圆制造工厂量产，并向客户交付。