射频匹配在10奈米以下半导体制程节点扮演要角

去除电浆制程中的射频变异性极有可能提高良率和生产率，特别是在10奈米以及以下节点，随着沉积和蚀刻制程配方变得日益复杂，这点也变得相当重要。 射频匹配(RF matching)在半导体制程中越来越受到重视。去除电浆制程中的射频变异性极有可能提高良率和生产率，特别是在10奈米以及以下节点，随着沉积和蚀刻制程配方变得日益复杂，这点也变得相当重要。如能减少匹配时间，减少每次配对的变异性，就能提高整个晶圆、晶圆间和运作间一致性。
原子层沉积(ALD)和原子层磊晶(ALE)应用的制程时间或射频开启(RF on)时间均已缩短。同一配方中的多个功率位准必须一致，这样在它们之间才能有所回应，并且每次都一致。由于真空可变电容(VVC)匹配网路对这些变化无法做出足够快的反应，一些网路开始使用固定匹配和频率调整做为解决方法。这仅在阻抗变化相对较小的情况下有效，并且可能需要在配方中增加稳定步骤，才不会浪费时间和丧失生产力。
Reno Sub-Systems的EVC匹配网路配对到每一个功率位准的变化都是可重复且可靠的。不需要稳定步骤，电浆保持稳定并且不会熄灭。为将这些新制程引入主流制造业提供了必要的制程完整性和可重复性。