西数携手Kioxia推出 BiSC6 第六代 162 层 3D NAND Flash

MSI 牛年欢喜-全系列手提电脑优惠最高折扣 $4,500第六代 3D NAND Flash 横向单元阵列密度较第五代 3D NAND Flash 提高了约 10% 。与第五代的 112 层堆叠架构相比，第六代产品进一步提升至 162 层堆叠架构，能够使晶圆尺寸减小约 40% ，从而降低了成本。第六代 3D NAND Flash 同时亦采用了阵列 CMOS 电路布局及四路同时工作等新技术，处理性能可望提高近 2.4 倍，读取延迟减少约 10% ， I/O 性能也提高了约 66% ，十分可观。虽然厂商已陆续采用第六代 3D NAND Flash 产品，不过市场上的 NVMe SSD 主要仍是使用第四代 3D NAND Flash 。