铠侠四日市工厂Fab7动工 将生产第六代3D NAND

全球第二大 NAND 快闪记忆体制造厂铠侠 (Kioxia，原本的东芝记忆体) 周四 (25 日) 在日本三重县四日市市举行全新厂房 (Fab7) 的动工仪式。未来将导入全新的生产设备，以生产新一代采用 162 层堆叠技术的记忆体晶片。
设备投资总额估计达 1 兆日圆规模，最快在 2022 年投产 3D NAND 快闪记忆体。
铠侠在四日市工厂兴建全新厂房 Fab7，主要目的是为了增产第六代的 3D NAND 快闪记忆体“BiCS FLASH”。
在设备投资方面，铠侠的合作伙伴美国威腾电子 (WDC-US) 也有共同参与，厂房建设则是分成前后两期实施，
采用 162 层堆叠技术的 3D NAND 快闪记忆体，与现有 112 层堆叠技术的产品相比，资料写入速度可提升至 2.4 倍、晶片尺寸也缩小 4 成。由于当前 5G 通讯普及，铠侠看好资料量将大幅增加，要在资料中心及智慧型手机的相关需求方面开拓市场。
此外，铠侠在日本岩手县北上市的北上工厂旁，也取得约 13.6 万平方公尺的工厂用地。计划在 2021 年的春天动工，目标 2022 年的春天完工。未来要在增产投资的体制方面做好准备，以配合需求量的增加来进行机动性调整。