西数与Kioxia铠侠共同推出第六代3D快闪记忆体

KIOXIA3D NAND Flash高层数竞争白热化！Western Digital与铠侠株式会社（Kioxia）宣布完成第六代162层的3D快闪记忆体（BiCS6）技术开发，为双方20年的合作关系立下一个全新里程碑。

铠侠技术长Masaki Momodomi表示，铠侠和Western Digital长达20年紧密的合作关系，展现出强大的制造与研发能力，在全球制造30%以上的NAND Flash快闪记忆体，产品应用遍及个人电子装置、资料中心，以及5G网路、人工智慧和自动系统支援的新兴产业。
Western Digital技术与战略总裁Siva Sivaram表示，摩尔定律于半导体产业已接近其物理极限，但在快闪记忆体的技术演进却仍能依循摩尔定律发展。针对新一代的产品， Western Digital和铠侠采用创新技术于垂直和横向扩充，成功达成在更少层、更小晶粒中提供更大容量，并满足客户对效能、稳定性与成本的要求。
第六代3D快闪记忆体拥有超越传统八维堆叠储存通孔阵列的先进架构，横向储存单元阵列密度较第五代技术大幅提升10％；此横向扩充的先进技术与162层堆叠垂直记忆体结合，使每晶粒尺寸相比112层堆叠技术减少40％，达到最佳成本效益。
Western Digital和铠侠团队于第六代3D快闪记忆体上亦采用Circuit Under Array CMOS和4-plane架构，相较于上一代产品，程式效能提升近2.4倍，读取延迟降低10%。而I/O效能亦可提升66%，使新一代介面可满足日益增长的快速传输速率需求。

整体而言，全新3D快闪记忆体技术与上一代相比，不仅降低每单位的成本，也使每晶圆可制造的晶粒数增加70%。Western Digital和铠侠将持续推动创新技术以扩充记忆体容量，满足客户及其多样的应用需求。

Western Digital与Kioxia铠侠株式会社于2/25共同宣布完成第六代162层的3D快闪记忆体（BiCS6）技术开发，为双方20年的合作关系立下一个全新里程碑。Western Digital与铠侠采用多种新技术与创新制造工艺，开发出迄今密度最高、最先进的3D快闪记忆体。
铠侠技术长Masaki Momodomi表示：“铠侠和Western Digital长达20年紧密的合作关系，展现出强大的制造与研发能力，在全球制造30％以上的快闪记忆体，并坚守以合理价格提供卓越的容量、效能和稳定性的使命。双方将贯彻此价值信念于一系列以数据为中心的个人电子装置、资料中心，以及5G网路、人工智慧和自动系统支援的新兴应用中。”

创新制造工艺打造全新架构，超越垂直扩充技术Western Digital技术与战略总裁Siva Sivaram博士表示：“摩尔定律于半导体产业已接近其物理极限，但在快闪记忆体的技术演进却仍能依循摩尔定律发展。为持续优化并满足全球与日剧增的数据需求，如何拓展3D快闪记忆体容量是重要关键。针对新一代的产品， Western Digital和铠侠采用创新技术于垂直和横向扩充，成功达成在更少层、更小晶粒中提供更大容量，并满足客户对效能、稳定性与成本的要求。”

第六代3D快闪记忆体拥有超越传统八维堆叠储存通孔阵列的先进架构，横向储存单元阵列密度较第五代技术大幅提升10％；此横向扩充的先进技术与162层堆叠垂直记忆体结合，使每晶粒尺寸相比112层堆叠技术减少40％，达到最佳成本效益。
Western Digital和铠侠团队于第六代3D快闪记忆体上亦采用Circuit Under Array CMOS和4-plane架构，相较于上一代产品，程式效能提升近2.4倍，读取延迟降低10%。而I/O效能亦可提升66％，使新一代介面可满足日益增长的快速传输速率需求。整体而言，全新3D快闪记忆体技术与上一代相比，不仅降低每单位的成本，也使每晶圆可制造的晶粒数增加70％。Western Digital和铠侠将持续推动创新技术以扩充记忆体容量，满足客户及其多样的应用需求。