2月份8Gb DDR4合约价涨4％ 相当于8GB内存不到28美金

2月合约价，DDR4 8Gb则随着主流server与PC走势而上，涨幅约4%；DDR4 4Gb受到DDR3 4Gb的上扬所迫，三星（Samsung）本月价格明显拉升，促使低价及均价成长约6%。换算成模组价格，一月份8GB DDR4模组合约价为26.50美金附近，在此基础上二月份合约价在涨4%左右，也就是27.56美金。

利基型DDR2及DDR3的涨幅仍高；DDR4则受到DDR3的追价而持续上扬，目前在specialty DRAM中仍属最大宗应用的DDR3 4Gb，其颗粒均价单月涨幅约6.8%。利基型DRAM产能扩增有限，加上市场需求回温之下，去年第4季出现供需吃紧，启动涨势。利基型DRAM于2月再涨近7%，公布应求的情况将可以延续到第2季，包括南亚科、华邦电、力积电、晶豪科等都将同步受惠，可望享有涨价效应。由于目前3大原厂产能吃紧，DRAM市场仍处供不应求情况，整体市况已正式进入上涨周期，原厂看准机会大幅调升specialty DRAM月报价，带动部分颗粒单月价格涨幅逼近双位数；其中以越小容量、越利基的产品涨幅最大。

长期由台厂主导的DDR3 2Gb严重缺货的情况持续，有价无量已成该产品常态，而追价者成为造成市场高低价价差扩大的主因，本月均价涨幅近9%。不过此为因应月合约所做的价格调整，以反应当下市场状况，但若细究部分tier-one客户采取季度合约议价（quarterly lock-in deal）者，其整季价格则不受此月价格影响。
在目前specialty DRAM市况火热的情况下，DDR3的获利水平逐渐高过DDR4及逻辑IC产品，也带动供应商的策略开始有所调整。
韩厂方面，三星（Samsung）规划将Line 13持续转换至CMOS Image Sensor的长期策略不变，然受到近期价格强劲上涨影响，其稍有缩减原先规划的产能进度。
SK海力士（SK Hynix）亦采相同策略，旧厂M10于去年底调降产能后，2021年基本上都维持在相似水位。
随着最先进的1Z及1 alpha nm良率有所拉升，美光（Micron）将逐步增加先进制程投片比重，因此部分20nm及更成熟的制程碍于台湾厂区空间有限，未来会慢慢挪往位于美国的Fab 6。
整体而言，3大原厂的DDR3产出仍持续下滑，然下滑速度较原先预期趋缓。
台厂方面，南亚科（Nanya Tech）目前已将部分20及30nm的DDR4投片转换回DDR3；华邦（Winbond）近年重心皆在Flash业务，DRAM产能在高雄路竹厂完工前都将受到限制，因此该公司选择重点支持DDR2及DDR3 1/2Gb小容量产品，也因华邦在该领域拥有相对更高的市占率，掌握更多定价优势。
力积电（PSMC）先前主要锁定在逻辑IC代工，但随着DDR3代工价显著上扬，将转移部份产能至DRAM。
未来3大台厂都将依据毛利高低于各产品间弹性调配产能，但有人认为即便所有供应商加以因应，此波specialty DRAM供不应求的态势至少延续至今年上半年，后续价格涨幅将视各原厂产能调整状况而定。