ASML四代EUV光刻机迈进1nm

据外媒报导，ASML产品营销总监Mike Lercel日前透露EUV（极紫外）光刻机的最新进展：预计今年年底前，NXE：3600D将开始交付，30mJ/cm2下的晶圆通量是160片，比3400C提高了18%，预计会是未来台积电、三星3nm制程的主要依托。
3600D之后，ASML规划的三代光刻机分别是NEXT、EXE：5000和EXE:5200，其中从EXE：5000开始，数值孔径提高到0.55，预计将在2022年晚些时候发货。由于光刻机从发货到配置/培训完成需要长达两年时间，因此0.55NA的大规模应用要等到2025~2026年，或用于台积电2nm甚至1nm等工艺。
与0.33NA相比，0.55NA具备更多优势，包括更高的对比度、图形曝光更低的成本、更高的生产效率等。但随着硅片、曝光洁净室逼近物理极限，随之而来的挑战也不容小觑。现今5nm/7nm光刻机已然需要10万+零件、40个集装箱，而1nm时代光刻机要比3nm还大一倍左右，其规模和难度将更上一层楼。