三星开发了512GB容量的DDR5内存-采用HKMG制程和最高7200Mb/s的速度

三星宣布开发出业界首个DDR5记忆体模组，该模组拥有512GB的惊人容量。记忆体模组适合针对AI/ML，超级计算，分析，网路和其他数据密集型工作负载来做使用。
三星表示512GB DDR5记忆体模组将扩展其现有产品组合，以提供有史以来最密集的容量。记忆体将采用HKMG(High-K Metal Gate)制程，三星也将其用于生产GDDR6 VRAM模组。该制程允许记忆体模组降低13％的功率，并且还减少了功率泄漏。
在规格方面，三星512GB DDR5的性能是DDR4的两倍，速度高达7200Mb/s。该记忆体共有40个DRAM晶片，每个DRAM晶片拥有八层16Gb DRAM，这些模组堆叠在一起并采用TSV（Through-Silicon-Via）相连。

　三星电子25日表示，开发出了使用“HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)”工艺的512GB DDR5内存模块。DDR5是新壹代DRAM规格，与前壹代DDR4相比，具备了壹倍以上的性能。
　三星电子的DDR5 DRAM拥有7200Mbps(兆位/秒)数据传输速度。在1秒内可以传送2部30GB容量的超高清(UHD)电影。目前DRAM规格的DDR4的最高传输速度是3200Mbps，最大容量是256GB。
　三星电子开发的DDR5 DRAM采用了系统半导体制造过程中使用的HKMG工艺，减少了电力消耗。由于采用了减少浪费电流的工艺，与现有的存储器相比，电力消耗减少了13%左右。三星电子相关人士解释说：“以制造系统半导体的经验为基础，在DRAM制造上也将采用HKMG工艺，可以同时体现高性能和低电力”，“因为电力消耗较少，所以将在大容量数据中心或人工智能(AI)等电力效率重要的地方使用。”
　另外，在壹般使用的DRAM中，首次使用了8段矽贯通电极(TSV)技术。TSV技术是在DRAM芯片上打孔，使芯片之间直接连接，从而大幅提高传输速度的技术。三星电子在2014年首次在DDR4内存上使用了4段TSV工艺，推出了64GB到256GB的高容量模块。