SK海力士CEO：未来十年将研发10nm以下工艺DRAM和600层NAND

3月25消息，据国外媒体报导，SK海力士是全球重要的存储晶元制造商，他们在去年10月份同英特尔达成了协议，将以90亿美元收购英特尔大部分的NAND快闪记忆体及存储业务，收购之后就将超过日本的Kioxia，成为仅次于三星的全球第二大NAND快闪记忆体制造商，并会缩小与三星的差距。
除了通过收购扩大规模、获得知识产权及研发人员，SK海力士也在致力于研发更先进的DRAM和NAND产品。
韩国媒体的报导显示，在2021年IEEE（电气电子工程师学会）国际可靠性物理研讨会上发表演讲时，SK海力士CEO李锡熙（Lee Seok-Hee）就表示，在未来十年，他们将致力于克服材料、结构和可靠性方面的挑战，开发10nm以下工艺的DRAM和600堆叠层的NAND。

要做到 600 层的 3D NAND Flash，需要在技术方面进行更多创新突破，其中一个重点是加入原子层沉积 (ALD) 技术，能在堆叠层数大大增加后依然保持电荷一致性。 此外，为了解决薄膜应力 film stress 问题，SK Hynix 加入了独立的电荷阱氮化物 (CTN) 结构，解决堆叠层数增加后存储单元之间的干扰，电荷丢失问题。 更多的堆叠层数突破，意味着单颗 NAND Flash 颗粒容量可以达到 8TB 甚至更高，这确实有点吓人。